Русская Википедия:Неизвестный, Игорь Георгиевич

Материал из Онлайн справочника
Версия от 06:56, 30 августа 2023; EducationBot (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Русская Википедия/Панель перехода}} {{Однофамильцы|Неизвестный}} {{Учёный |Гражданство = {{URS}}→{{RUS}} |Научная сфера = {{физик|СССР|России}} |Место работы = Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирский государстве...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:Однофамильцы Шаблон:Учёный И́горь Гео́ргиевич Неизве́стный (род. 26 ноября 1931 года, Одесса) — советский и российский физик. Член-корреспондент АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, 1990).

Биография

Дед по матери чл.-корр. АН СССР, академик АН УССР Александр Яковлевич Орлов[1].

В 1956 году окончил электромеханический факультет Московского энергетического института по специальности «Диэлектрики и полупроводники», ученик А. В. Ржанова. С 1956 по 1962 год вёл научную работу в Физическом институте АН СССР.

С 1962 года работал в Институте физики полупроводников (ныне — им. А. В. Ржанова) СО АН СССР, один из создателей Института, заместитель директора по научной работе (1962—1973 и 1980—2004), с 1973 по 1980 год — заведующий лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур», с 2004 года — заведующий отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники», советник РАН.

Кандидат физико-математических наук (1966, тема диссертации «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия»), доктор физико-математических наук (1980, тема диссертации «Исследование границы раздела германий — диэлектрик»).

Преподаёт в Новосибирском государственном техническом университете[2], с 1983 года — профессор.

Научный руководитель и консультант 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

Научные интересы

Фундаментальные результаты в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Исследовал физические процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик, взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами. Вёл компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв.

Работы по квантовой криптографии, поверхностно-барьерным биосенсорам.

Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов» (1995).

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

Ссылки

Шаблон:ВС Шаблон:Physicist-stub