Английская Википедия:Chemical beam epitaxy: история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

17 февраля 2024

  • текущ.пред. 11:1911:19, 17 февраля 2024‎ EducationBot обсуждение вклад‎ 12 802 байта +12 802‎ Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} {{Short description|Semiconductor deposition technique}} '''Chemical beam epitaxy''' (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III-V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular beams of reactiv...»
Источник — http://wikihandbk.com/wiki/Английская_Википедия:Chemical_beam_epitaxy