Английская Википедия:Gallium indium arsenide antimonide phosphide: история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

11 марта 2024

  • текущ.пред. 06:5506:55, 11 марта 2024EducationBot обсуждение вклад 2702 байта +2702 Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} {{short description|Semiconductor material}} '''Gallium indium arsenide antimonide phosphide''' ('''{{chem2|auto=1|GaInAsSbP}}''' or '''GaInPAsSb''') is a semiconductor material. Research has shown that GaInAsSbP can be used in the manufacture of mid-infrared light-emitting diodes<ref name=Krier2007>Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting...»