Английская Википедия:Heterojunction bipolar transistor: история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

21 марта 2024

  • текущ.пред. 06:1306:13, 21 марта 2024EducationBot обсуждение вклад 6760 байт +6760 Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} The '''heterojunction bipolar transistor''' ('''HBT''') is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it can handle signals of very high frequencies, up to several hundred GHz. It is commonly used in modern ultrafast circu...»