Английская Википедия:Indium gallium phosphide: история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

25 марта 2024

  • текущ.пред. 22:5122:51, 25 марта 2024EducationBot обсуждение вклад 3806 байт +3806 Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} {{More citations needed|date=July 2022}} '''Indium gallium phosphide''' ('''InGaP'''), also called gallium indium phosphide (GaInP), is a semiconductor composed of indium, gallium and phosphorus. It is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium ars...»