Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET): история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

22 мая 2023

9 мая 2022

  • текущ.пред. 11:5711:57, 9 мая 2022Myagkij обсуждение вклад 1859 байт +24 Нет описания правки
  • текущ.пред. 04:0604:06, 9 мая 2022Valemak обсуждение вклад 1835 байт +1835 Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-insulated-gate-field-effect-igfet-or-mosfet/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Insulated-gate Field-effect (IGFET or MOSFET)]</re...»