Русская Википедия:Лашкарёв, Вадим Евгеньевич
Шаблон:ФИО Шаблон:Учёный Вади́м Евге́ньевич Лашкарёв (Шаблон:ВД-Преамбула) — советский учёный в области физики[1], первооткрыватель эффектов, которые были положены в основу полупроводниковых технологий и микроэлектроники. Академик АН УССР (с 1945 года)[2].
Биография
Родился 7 октября 1903 года в Киеве, Шаблон:Нет АИ 2
В 1924 году окончил Киевский институт народного образования. В 1924—1927 годах — аспирант, преподаватель Киевской научно-исследовательской кафедры физики. С 1928 года работал в Ленинградском физико-техническом институте, с 1930 года возглавлял там отдел рентгеновской и электронной оптики, а с 1933 года — лабораторию дифракции электронов. В 1933 году опубликовал монографию «Дифракция электронов». По результатам исследований в 1935 году ему без защиты диссертации присудили учёную степень доктора физико-математических наук.
В феврале 1935 года был арестован за «участие в Шаблон:Comment группе мистического толка»[3], а в июле того же года осуждён на 5 лет ссылки в Архангельск (реабилитирован 15 июля 1957 года). В 1935—1939 годах работал заведующим кафедрой физики Архангельского медицинского института, изучал биофизику нервных волокон. С 1939 года — заведующий отделом полупроводников Института физики АН УССР.
В 1941 году экспериментально открыл p-n-переход в закиси меди. В том же году опубликовал результаты своих открытий в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве с К. М. Косоноговой). В годы Великой Отечественной войны вместе с коллективом Института физики был эвакуирован в Уфу.
Находясь в эвакуации во время войны, Лашкарёв разработал меднозакисные диоды[4][5], которые применялись в армейских радиостанциях, и добился их промышленного выпуска на заводе в Уфе. После освобождения Киева вместе с институтом вернулся на Украину. В 1944—1952 годах одновременно с работой в институте заведовал кафедрой физики Киевского государственного университета, а в 1952—1956 годах — созданной им первой в СССР кафедрой физики полупроводников (в том же университете).
Исследовал биполярную диффузию неравновесных носителей тока. Заложил основы учения об электродвижущих силах в полупроводниках. С 1956 года — главный редактор основанного в том же году «Украинского физического журнала». С 1960 года работал в основанном им Шаблон:Iw (ныне — Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины) заведующим отделом и директором (1960—1970). Совместно с В. И. Ляшенко впервые провёл исследования поверхностных явлений в полупроводниках. Создал научную школу[6].
Умер 1 декабря 1974 года в Киеве. Похоронен на Байковом кладбище.
Научная деятельность
Научные труды
Награды
- орден «Знак Почёта» (1 октября 1944);
- Государственная премия УССР в области науки и техники (1981, посмертно).
Память
В 2002 году его имя присвоено Шаблон:Iw[7].
Примечания
Литература
Ссылки
- Первый диод на p-n-переходе.
- Лашкарёв Вадим Евгеньевич // «Санкт-Петербургская школа».
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Книга
Сокращённое издание: Шаблон:Cite web - ↑ Институт физики полупроводников. Выдающиеся ученые. Лашкарёв Вадим Евгеньевич.
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Книга
- ↑ Розпорядження Кабінету Міністрів України від 25.12.2002 р. № 714-р «Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В. Є. Лашкарьова»; постанова Президії НАН України від 04.02.2003 р. № 6
- Русская Википедия
- Выпускники Киевского университета
- Действительные члены АН УССР
- Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
- Похороненные на Байковом кладбище
- Физики СССР
- Физики Украины
- Физики, репрессированные в СССР
- Реабилитированные в СССР
- Сосланные в Архангельскую область
- Преподаватели Северного медицинского университета
- Преподаватели Киевского университета
- Страницы, где используется шаблон "Навигационная таблица/Телепорт"
- Страницы с телепортом
- Википедия
- Статья из Википедии
- Статья из Русской Википедии