Английская Википедия:Gallium acetylacetonate

Материал из Онлайн справочника
Версия от 06:55, 11 марта 2024; EducationBot (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} {{Chembox | ImageFile = Ga(acac)3.png | ImageSize = | ImageAlt = | IUPACName = <nowiki>(Z)-4-bis[(Z)-1-methyl-3-oxobut-1-enoxy]gallanyloxypent-3-en-2-one</nowiki> | OtherNames = Gallium acetylacetonate |Section1={{Chembox Identifiers | CASNo = 14405-43-7 | PubChem = 16717626 | SMILES = }} |Section2={{Chembox Properties | Formula = GaC<sub>15</sub>H<sub>21</sub>O<sub>6</sub> | MolarMa...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:Chembox

Gallium acetylacetonate, also referred to as Ga(acac)3, is a coordination complex with formula Ga(C5H7O2)3. This gallium complex with three acetylacetonate ligands is used in research. The molecule has D3 symmetry, being isomorphous with other octahedral tris(acetylacetonate)s.[1]

Uses

Gallium oxide thin films can be produced by atomic layer epitaxy (ALE) by combining gallium acetylacetonate with either water or ozone as the precursor.[2] Ga(acac)3 can also be used for low temperature growth of high purity gallium nitride nano-wires and nano-needles.[3][4]

References

Шаблон:Reflist

Шаблон:Gallium compounds Шаблон:Acetylacetonate complexes


Шаблон:Organic-compound-stub

Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное

  1. ↑ Шаблон:Cite journal
  2. ↑ "Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy"
  3. ↑ "Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires"
  4. ↑ "Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional Gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor"
Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Английская_Википедия:Gallium_acetylacetonate&oldid=14844891