Английская Википедия:Indium arsenide antimonide phosphide

Материал из Онлайн справочника
Версия от 22:50, 25 марта 2024; EducationBot (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} '''Indium arsenide antimonide phosphide''' ('''{{chem2|auto=1|InAsSbP}}''') is a semiconductor material. InAsSbP has been used as blocking layers for semiconductor laser structures, as well as for the mid-infrared light-emitting diodes and lasers,<ref>{{cite book | last=Shur | first=Michael | last2=Suris | first2=R. A. | title=Compound semiconductors 1996 : proceedings of...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Indium arsenide antimonide phosphide (Шаблон:Chem2) is a semiconductor material.

InAsSbP has been used as blocking layers for semiconductor laser structures, as well as for the mid-infrared light-emitting diodes and lasers,[1] photodetectors[2] and thermophotovoltaic cells.[3]

InAsSbP layers can be grown by heteroepitaxy on indium arsenide, gallium antimonide and other materials.[4]

See also

References

Шаблон:Reflist

Шаблон:Indium compounds Шаблон:Arsenic compounds Шаблон:Arsenides Шаблон:Antimony compounds Шаблон:Phosphorus compounds Шаблон:Phosphides


Шаблон:CMP-stub

Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное

  1. ↑ Шаблон:Cite book
  2. ↑ Шаблон:Cite book
  3. ↑ Шаблон:Cite book
  4. ↑ Шаблон:Cite book
Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Английская_Википедия:Indium_arsenide_antimonide_phosphide&oldid=15405254