Английская Википедия:Indium arsenide antimonide phosphide: история изменений

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Выбор версий: отметьте версии страницы, которые вы хотите сравнить, и нажмите Enter или кнопку ниже.
Пояснения: (текущ.) — отличия от текущей версии; (пред.) — отличия от предшествующей версии; м — малые изменения.

25 марта 2024

  • текущ.пред. 22:5022:50, 25 марта 2024EducationBot обсуждение вклад 2450 байт +2450 Новая страница: «{{Английская Википедия/Панель перехода}} '''Indium arsenide antimonide phosphide''' ('''{{chem2|auto=1|InAsSbP}}''') is a semiconductor material. InAsSbP has been used as blocking layers for semiconductor laser structures, as well as for the mid-infrared light-emitting diodes and lasers,<ref>{{cite book | last=Shur | first=Michael | last2=Suris | first2=R. A. | title=Compound semiconductors 1996 : proceedings of...»