Электроника:Полупроводники/Биполярные транзисторы/Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП): различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
(Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Параметры и корпуса...»)
 
Нет описания правки
 
(не показана 1 промежуточная версия 1 участника)
Строка 5: Строка 5:
=Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/transistor-ratings-packages-bjt/ www.allaboutcircuits.com - Transistor Ratings and Packages (BJT)]</ref>=
=Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/transistor-ratings-packages-bjt/ www.allaboutcircuits.com - Transistor Ratings and Packages (BJT)]</ref>=


Как и любые другие электрические/электронные компоненты, транзисторы ограничены по величине напряжения и тока, с которыми каждый из них может справиться, не взорвавшись при этом. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, с которыми мы уже часто имели дело до сего момента, у них, как правило, больше характеристик, отличающих транзисторы друг от друга. Подробности – в этом разделе ниже.
Как и любые другие электрические/электронные компоненты, [[транзистор]]ы ограничены по величине напряжения и тока, с которыми каждый из них может справиться, не взорвавшись при этом. Поскольку [[транзистор]]ы более сложны, чем некоторые другие компоненты, с которыми мы уже часто имели дело до сего момента, у них, как правило, больше характеристик, отличающих [[транзистор]]ы друг от друга. Подробности – в этом разделе ниже.


== Рассеяние мощности ==
== Рассеяние мощности ==


Когда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, также между этими двумя точками наблюдается падение напряжения. В любой момент времени мощность, рассеиваемая транзистором, равна произведению силы тока коллектора на напряжение на переходе коллектор/эмиттер. Подобно резисторам, транзисторы рассчитаны на то, чтобы безопасно рассеивать определённое количество ватт без ущерба для собственной целостности.
Когда [[транзистор]] проводит ток между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом, также между этими двумя точками наблюдается падение напряжения. В любой момент времени мощность, рассеиваемая [[транзистор]]ом, равна произведению силы тока [[коллектор]]а на напряжение на переходе коллектор/эмиттер. Подобно [[резистор]]ам, [[транзистор]]ы рассчитаны на то, чтобы безопасно рассеивать определённое количество [[ватт]] без ущерба для собственной целостности.


Высокая температура - злейший враг всех полупроводниковых устройств, а биполярные транзисторы, как правило, подвергаются даже повышенному тепловому воздействию. Номинальная мощность всегда завязана на обычную комнатную температуру воздушной внешней среды (в окрестностях транзистора). Если предполагается использование в более жарких условиях (при температуре более 25°), действуют сниженные номинальные мощности, чтобы избежать сокращения срока службы.
Высокая температура - злейший враг всех [[полупроводник]]овых устройств, а [[биполярные транзисторы]], как правило, подвергаются даже повышенному тепловому воздействию. Номинальная мощность всегда завязана на обычную комнатную температуру воздушной внешней среды (в окрестностях [[транзистор]]а). Если предполагается использование в более жарких условиях (при температуре более 25°), действуют сниженные номинальные мощности, чтобы избежать сокращения срока службы.


== Обратные напряжения ==
== Обратные напряжения ==


Как и диоды, биполярные транзисторы рассчитаны на максимально допустимое напряжение обратного включения на их P-N-переходах. Сюда входят номинальные напряжения для перехода эмиттер/база V<sub>ЭБ</sub>, перехода коллектор-база V<sub>КБ</sub>, а также от коллектора к эмиттеру V<sub>КЭ</sub>.
Как и [[диод]]ы, [[биполярные транзисторы]] рассчитаны на максимально допустимое напряжение обратного включения на их [[P-N-переход]]ах. Сюда входят номинальные напряжения для перехода эмиттер/база V<sub>ЭБ</sub>, перехода коллектор-база V<sub>КБ</sub>, а также от [[коллектор]]а к [[эмиттер]]у V<sub>КЭ</sub>.


V<sub>ЭБ</sub> (максимальное обратное напряжение от эмиттера к базе) составляет примерно 7 В для некоторых слаботочных транзисторов. Некоторые разработчики схем используют дискретные ТБП в качестве 7-вольтных стабилитронов, соединённых последовательно с резистором, ограничивающим ток. Входные напряжения транзисторов в аналоговых интегральных схемах также имеют рейтинг V<sub>ЭБ</sub>, превышение которого приведёт к повреждению, если стабилизация входного напряжения не предполагается.
V<sub>ЭБ</sub> (максимальное обратное напряжение от эмиттера к базе) составляет примерно 7 В для некоторых слаботочных [[транзистор]]ов. Некоторые разработчики схем используют дискретные ТБП в качестве 7-вольтных стабилитронов, соединённых последовательно с [[резистор]]ом, ограничивающим ток. Входные напряжения [[транзистор]]ов в аналоговых интегральных схемах также имеют рейтинг V<sub>ЭБ</sub>, превышение которого приведёт к повреждению, если стабилизация входного напряжения не предполагается.


Номинальное значение максимального напряжения коллектор/эмиттер V<sub>КЭ</sub> можно рассматривать как максимальное напряжение, которое он может выдерживать в режиме отсечки (без базового тока). Этот рейтинг особенно важен при использовании биполярного транзистора в качестве переключателя. Типичное значение для слаботочного транзистора составляет от 60 до 80 В. В силовых транзисторах это может быть до 1000 В, например, для транзистора горизонтального отклонения в дисплее на электронно-лучевой трубке.
Номинальное значение максимального напряжения коллектор/эмиттер V<sub>КЭ</sub> можно рассматривать как максимальное напряжение, которое он может выдерживать в режиме отсечки (без базового тока). Этот рейтинг особенно важен при использовании [[биполярного транзистора]] в качестве переключателя. Типичное значение для [[слаботочного транзистора]] составляет от 60 до 80 В. В [[силовых транзисторах]] это может быть до 1000 В, например, для [[транзистор]]а горизонтального отклонения в дисплее на [[электронно-лучевой трубке]].


== Коллекторный ток ==
== Коллекторный ток ==


Максимальное значение силы тока коллектора IК (в амперах) обычно указывается производителем. Типичные значения для слаботочных транзисторов составляют от 10 до 100 мА, а для силовых транзисторов – десятки ампер. Следует понимать, что это максимальное значение предполагает состояние насыщения (с минимальным падением напряжения на переходе коллектор/эмиттер). Если транзистор не насыщен и между коллектором и эмиттером падает значительное напряжение, максимальная мощность рассеиваемой мощности, вероятно, будет превышена с учётом максимального номинального тока коллектора. Просто об этом следует всегда помнить при проектировании транзисторной схемы.
Максимальное значение [[силы тока коллектора]] I<sub>К</sub> (в [[ампер]]ах) обычно указывается производителем. Типичные значения для [[слаботочных транзисторов]] составляют от 10 до 100 мА, а для [[силовых транзисторов]] – десятки ампер. Следует понимать, что это максимальное значение предполагает состояние насыщения (с минимальным падением напряжения на переходе коллектор/эмиттер). Если [[транзистор]] не насыщен и между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом падает значительное напряжение, максимальная мощность рассеиваемой мощности, вероятно, будет превышена с учётом максимального номинального тока [[коллектор]]а. Просто об этом следует всегда помнить при проектировании транзисторной схемы.


== Напряжения насыщения ==
== Напряжения насыщения ==


В идеале насыщенный транзистор действует как замкнутый переключающий контакт между коллектором и эмиттером, сбрасывая нулевое напряжение при полном токе коллектора. На самом деле это никогда не бывает правдой. Производители указывают максимальное падение напряжения транзистора при насыщении как между коллектором и эмиттером, так и между базой и эмиттером (прямое падение напряжения на соответствующем P-N-переходе). Падение напряжения на переходе коллектор/эмиттер при насыщении обычно ожидается на уровне 0,3 В или меньше, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа транзистора. Низковольтные транзисторы с низким V<sub>КЭ</sub> показывают более низкое напряжение насыщения. Напряжение насыщения также ниже при более высоком базовом токе возбуждения.
В идеале насыщенный [[транзистор]] действует как замкнутый переключающий контакт между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом, сбрасывая нулевое напряжение при полном токе [[коллектор]]а. На самом деле это никогда не бывает правдой. Производители указывают максимальное падение напряжения [[транзистор]]а при насыщении как между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом, так и между базой и [[эмиттер]]ом (прямое падение напряжения на соответствующем [[P-N-переход]]е). Падение напряжения на переходе коллектор/эмиттер при насыщении обычно ожидается на уровне 0,3 В или меньше, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа [[транзистор]]а. [[Низковольтные транзисторы]] с низким V<sub>КЭ</sub> показывают более низкое напряжение насыщения. Напряжение насыщения также ниже при более высоком базовом токе возбуждения.


Прямое падение напряжения на переходе база/эмиттер VБЭ аналогично падению напряжения эквивалентного диода 0,7 В, что вполне логично.
Прямое падение напряжения на переходе база/эмиттер V<sub>БЭ</sub> аналогично падению напряжения эквивалентного [[диод]]а 0,7 В, что вполне логично.


== Бета-коэффициент ==
== Бета-коэффициент ==


Отношение тока коллектора к току базы β является основным параметром, характеризующим усилительную способность биполярного транзистора. В схемных расчётах обычно предполагается, что β является постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют список β (они могут обозначаться как «h<sub>fe</sub>») – значения для конкретного транзистора в широком диапазоне условий эксплуатации, обычно в форме максимальных/минимальных/стандартных величин. Возможно, вы удивитесь, увидев, в насколько широких пределах могут меняться β в рамках нормальных рабочих процессов. Один популярный слаботочный транзистор, 2N3903, рекламируется как имеющий β в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины тока коллектора. Обычно β достигает максимума для средних коллекторных токов и минимума для очень низких и очень высоких коллекторных токов. h<sub>fe</sub> (со строчными «fe») обозначает слабое усиление переменного тока; h<sub>FE</sub> (с прописными «FE») – это крупное усиление переменного тока (или усиление постоянного тока).
Отношение [[тока коллектора]] к току базы β является основным параметром, характеризующим усилительную способность [[биполярного транзистора]]. В схемных расчётах обычно предполагается, что β является постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют список β (они могут обозначаться как «h<sub>fe</sub>») – значения для конкретного [[транзистор]]а в широком диапазоне условий эксплуатации, обычно в форме максимальных/минимальных/стандартных величин. Возможно, вы удивитесь, увидев, в насколько широких пределах могут меняться β в рамках нормальных рабочих процессов. Один популярный [[слаботочный транзистор]], [[2N3903]], рекламируется как имеющий β в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины [[тока коллектора]]. Обычно β достигает максимума для средних [[коллекторных токов]] и минимума для очень низких и очень высоких [[коллекторных токов]]. h<sub>fe</sub> (со строчными «fe») обозначает слабое усиление переменного тока; h<sub>FE</sub> (с прописными «FE») – это крупное усиление переменного тока (или усиление постоянного тока).


== Альфа-коэффициент ==
== Альфа-коэффициент ==


Отношение коллекторного тока к эмиттерному, α = I<sub>К</sub> / I<sub>Э</sub>, может быть получено из β: α = β / (β + 1). Биполярные транзисторы выпускаются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности транзистора, как и резисторы: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем больше должны быть габариты устройства, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трёхконтактных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения биполярного транзистора. Есть много других полупроводниковых устройств, помимо биполярных транзисторов, которые имеют три точки подключения. Обратите внимание, что выводы пластиковых транзисторов могут отличаться в пределах одного типа корпуса, например, для TO-92 на рисунке 1 ниже. Точно идентифицировать трёхконтактное полупроводниковое устройство не получится, если не известен номер детали или без проведения электрических испытаний.
Отношение коллекторного тока к эмиттерному, α = I<sub>К</sub> / I<sub>Э</sub>, может быть получено из β: α = β / (β + 1). [[Биполярные транзисторы]] выпускаются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности [[транзистор]]а, как и [[резистор]]ы: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем больше должны быть габариты устройства, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трёхконтактных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения [[биполярного транзистора]]. Есть много других полупроводниковых устройств, помимо [[биполярных транзисторов]], которые имеют три точки подключения. Обратите внимание, что выводы пластиковых [[транзистор]]ов могут отличаться в пределах одного типа корпуса, например, для [[TO-92]] на рисунке 1 ниже. Точно идентифицировать трёхконтактное полупроводниковое устройство не получится, если не известен номер детали или без проведения электрических испытаний.


[[File:III-04_15_1.jpg|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Корпуса транзисторов, размеры в мм.|alt=Рис. 1. Корпуса транзисторов, размеры в мм.]]
[[File:III-04_15_1.jpg|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Корпуса транзисторов, размеры в мм.|alt=Рис. 1. Корпуса транзисторов, размеры в мм.]]


Небольшие пластиковые корпуса транзисторов, такие как TO-92, могут рассеивать несколько сотен милливатт. Металлические ёмкости ТО-18 и ТО-39 рассеивают больше энергии, несколько сотен милливатт. Пластиковые корпуса силовых транзисторов, такие как (TO-220 и TO-247) рассеивают более 100 Вт, приближаясь к рассеиваемой мощности полностью металлического TO-3. Показатели рассеяния, указанные на рисунке 1 выше, являются максимальными, которые приходилось видеть автору для высокомощных устройств. Большинство силовых транзисторов рассчитаны на половину или меньше указанной мощности. Фактические характеристики смотрите в технических паспортах конкретных устройств.  
Небольшие пластиковые корпуса [[транзистор]]ов, такие как [[TO-92]], могут рассеивать несколько сотен милливатт. Металлические ёмкости [[ТО-18]] и [[ТО-39]] рассеивают больше энергии, несколько сотен милливатт. Пластиковые корпуса [[силовых транзисторов,]] такие как ([[TO-220]] и [[TO-247]]) рассеивают более 100 Вт, приближаясь к рассеиваемой мощности полностью металлического [[TO-3]]. Показатели рассеяния, указанные на рисунке 1 выше, являются максимальными, которые приходилось видеть автору для высокомощных устройств. Большинство [[силовых транзисторов]] рассчитаны на половину или меньше указанной мощности. Фактические характеристики смотрите в технических паспортах конкретных устройств.  


Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах TO-220 и TO-247 установлен на теплопроводной металлической вставке, которая передаёт тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (на рисунке не показано). Перед установкой транзистора на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей смазки. Так как заглушки ТО-220 и ТО-247 (а также корпус ТО-3) подключены к коллектору, иногда необходимо электрически изолировать их от заземлённого радиатора с помощью вставной слюдяной или полимерной шайбы. Техпаспортные данные для силовых агрегатов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора TO-220 безопасно рассеивает примерно 1 ватт в открытом воздухе.
Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах [[TO-220]] и [[TO-247]] установлен на теплопроводной металлической вставке, которая передаёт тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (на рисунке не показано). Перед установкой [[транзистор]]а на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей смазки. Так как заглушки [[ТО-220]] и [[ТО-247]] (а также корпус [[ТО-3]]) подключены к [[коллектор]]у, иногда необходимо электрически изолировать их от заземлённого радиатора с помощью вставной слюдяной или полимерной шайбы. Техпаспортные данные для силовых агрегатов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора [[TO-220]] безопасно рассеивает примерно 1 ватт в открытом воздухе.


Данные из техпаспорта для максимальной рассеиваемой мощности трудно достичь на практике. Максимальное рассеивание мощности основано на радиаторе, поддерживающем температуру корпуса транзистора не выше 25°C. Этого сложно достичь с радиатором с воздушным охлаждением. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается с повышением температуры. Это так называемое снижение номинальных характеристик. Многие спецификации устройств питания включают график зависимости рассеиваемой энергии от температуры корпуса.
Данные из техпаспорта для максимальной рассеиваемой мощности трудно достичь на практике. Максимальное рассеивание мощности основано на радиаторе, поддерживающем температуру корпуса [[транзистор]]а не выше 25°C. Этого сложно достичь с радиатором с воздушным охлаждением. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается с повышением температуры. Это так называемое снижение номинальных характеристик. Многие спецификации устройств питания включают график зависимости рассеиваемой энергии от температуры корпуса.


== Итог ==
== Итог ==
Строка 51: Строка 51:
*''Рассеяние мощности'': максимально допустимое постоянное рассеяние мощности.
*''Рассеяние мощности'': максимально допустимое постоянное рассеяние мощности.
*''Обратные напряжения'': максимально допустимые V<sub>КЭ</sub>, V<sub>КБ</sub>, V<sub>ЭБ</sub>.
*''Обратные напряжения'': максимально допустимые V<sub>КЭ</sub>, V<sub>КБ</sub>, V<sub>ЭБ</sub>.
*''Коллекторный ток'': максимально допустимый коллекторный ток.
*''Коллекторный ток'': максимально допустимый [[коллекторный ток]].
*''Напряжение насыщения'': падение напряжения V<sub>КЭ</sub> в насыщенном (полностью проводящем) транзисторе.
*''Напряжение насыщения'': падение напряжения V<sub>КЭ</sub> в насыщенном (полностью проводящем) [[транзистор]]е.
*''Бета-коэффициент'': β = I<sub>К</sub> / I<sub>Б</sub>.
*''Бета-коэффициент'': β = I<sub>К</sub> / I<sub>Б</sub>.
*''Альфа-коэффициент'': α = I''К'' / I''Э'', α = β / (β + 1).
*''Альфа-коэффициент'': α = I''К'' / I''Э'', α = β / (β + 1).
Строка 59: Строка 59:
=См.также=
=См.также=


{{ads}}
 


=Внешние ссылки=
=Внешние ссылки=
Строка 65: Строка 65:
<references />
<references />


{{Навигационная таблица/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Портал/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Телепорт}}

Текущая версия от 21:43, 22 мая 2023

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП)[1]

Как и любые другие электрические/электронные компоненты, транзисторы ограничены по величине напряжения и тока, с которыми каждый из них может справиться, не взорвавшись при этом. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, с которыми мы уже часто имели дело до сего момента, у них, как правило, больше характеристик, отличающих транзисторы друг от друга. Подробности – в этом разделе ниже.

Рассеяние мощности

Когда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, также между этими двумя точками наблюдается падение напряжения. В любой момент времени мощность, рассеиваемая транзистором, равна произведению силы тока коллектора на напряжение на переходе коллектор/эмиттер. Подобно резисторам, транзисторы рассчитаны на то, чтобы безопасно рассеивать определённое количество ватт без ущерба для собственной целостности.

Высокая температура - злейший враг всех полупроводниковых устройств, а биполярные транзисторы, как правило, подвергаются даже повышенному тепловому воздействию. Номинальная мощность всегда завязана на обычную комнатную температуру воздушной внешней среды (в окрестностях транзистора). Если предполагается использование в более жарких условиях (при температуре более 25°), действуют сниженные номинальные мощности, чтобы избежать сокращения срока службы.

Обратные напряжения

Как и диоды, биполярные транзисторы рассчитаны на максимально допустимое напряжение обратного включения на их P-N-переходах. Сюда входят номинальные напряжения для перехода эмиттер/база VЭБ, перехода коллектор-база VКБ, а также от коллектора к эмиттеру VКЭ.

VЭБ (максимальное обратное напряжение от эмиттера к базе) составляет примерно 7 В для некоторых слаботочных транзисторов. Некоторые разработчики схем используют дискретные ТБП в качестве 7-вольтных стабилитронов, соединённых последовательно с резистором, ограничивающим ток. Входные напряжения транзисторов в аналоговых интегральных схемах также имеют рейтинг VЭБ, превышение которого приведёт к повреждению, если стабилизация входного напряжения не предполагается.

Номинальное значение максимального напряжения коллектор/эмиттер VКЭ можно рассматривать как максимальное напряжение, которое он может выдерживать в режиме отсечки (без базового тока). Этот рейтинг особенно важен при использовании биполярного транзистора в качестве переключателя. Типичное значение для слаботочного транзистора составляет от 60 до 80 В. В силовых транзисторах это может быть до 1000 В, например, для транзистора горизонтального отклонения в дисплее на электронно-лучевой трубке.

Коллекторный ток

Максимальное значение силы тока коллектора IК (в амперах) обычно указывается производителем. Типичные значения для слаботочных транзисторов составляют от 10 до 100 мА, а для силовых транзисторов – десятки ампер. Следует понимать, что это максимальное значение предполагает состояние насыщения (с минимальным падением напряжения на переходе коллектор/эмиттер). Если транзистор не насыщен и между коллектором и эмиттером падает значительное напряжение, максимальная мощность рассеиваемой мощности, вероятно, будет превышена с учётом максимального номинального тока коллектора. Просто об этом следует всегда помнить при проектировании транзисторной схемы.

Напряжения насыщения

В идеале насыщенный транзистор действует как замкнутый переключающий контакт между коллектором и эмиттером, сбрасывая нулевое напряжение при полном токе коллектора. На самом деле это никогда не бывает правдой. Производители указывают максимальное падение напряжения транзистора при насыщении как между коллектором и эмиттером, так и между базой и эмиттером (прямое падение напряжения на соответствующем P-N-переходе). Падение напряжения на переходе коллектор/эмиттер при насыщении обычно ожидается на уровне 0,3 В или меньше, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа транзистора. Низковольтные транзисторы с низким VКЭ показывают более низкое напряжение насыщения. Напряжение насыщения также ниже при более высоком базовом токе возбуждения.

Прямое падение напряжения на переходе база/эмиттер VБЭ аналогично падению напряжения эквивалентного диода 0,7 В, что вполне логично.

Бета-коэффициент

Отношение тока коллектора к току базы β является основным параметром, характеризующим усилительную способность биполярного транзистора. В схемных расчётах обычно предполагается, что β является постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют список β (они могут обозначаться как «hfe») – значения для конкретного транзистора в широком диапазоне условий эксплуатации, обычно в форме максимальных/минимальных/стандартных величин. Возможно, вы удивитесь, увидев, в насколько широких пределах могут меняться β в рамках нормальных рабочих процессов. Один популярный слаботочный транзистор, 2N3903, рекламируется как имеющий β в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины тока коллектора. Обычно β достигает максимума для средних коллекторных токов и минимума для очень низких и очень высоких коллекторных токов. hfe (со строчными «fe») обозначает слабое усиление переменного тока; hFE (с прописными «FE») – это крупное усиление переменного тока (или усиление постоянного тока).

Альфа-коэффициент

Отношение коллекторного тока к эмиттерному, α = IК / IЭ, может быть получено из β: α = β / (β + 1). Биполярные транзисторы выпускаются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности транзистора, как и резисторы: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем больше должны быть габариты устройства, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трёхконтактных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения биполярного транзистора. Есть много других полупроводниковых устройств, помимо биполярных транзисторов, которые имеют три точки подключения. Обратите внимание, что выводы пластиковых транзисторов могут отличаться в пределах одного типа корпуса, например, для TO-92 на рисунке 1 ниже. Точно идентифицировать трёхконтактное полупроводниковое устройство не получится, если не известен номер детали или без проведения электрических испытаний.

Рис. 1. Корпуса транзисторов, размеры в мм.
Рис. 1. Корпуса транзисторов, размеры в мм.

Небольшие пластиковые корпуса транзисторов, такие как TO-92, могут рассеивать несколько сотен милливатт. Металлические ёмкости ТО-18 и ТО-39 рассеивают больше энергии, несколько сотен милливатт. Пластиковые корпуса силовых транзисторов, такие как (TO-220 и TO-247) рассеивают более 100 Вт, приближаясь к рассеиваемой мощности полностью металлического TO-3. Показатели рассеяния, указанные на рисунке 1 выше, являются максимальными, которые приходилось видеть автору для высокомощных устройств. Большинство силовых транзисторов рассчитаны на половину или меньше указанной мощности. Фактические характеристики смотрите в технических паспортах конкретных устройств.

Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах TO-220 и TO-247 установлен на теплопроводной металлической вставке, которая передаёт тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (на рисунке не показано). Перед установкой транзистора на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей смазки. Так как заглушки ТО-220 и ТО-247 (а также корпус ТО-3) подключены к коллектору, иногда необходимо электрически изолировать их от заземлённого радиатора с помощью вставной слюдяной или полимерной шайбы. Техпаспортные данные для силовых агрегатов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора TO-220 безопасно рассеивает примерно 1 ватт в открытом воздухе.

Данные из техпаспорта для максимальной рассеиваемой мощности трудно достичь на практике. Максимальное рассеивание мощности основано на радиаторе, поддерживающем температуру корпуса транзистора не выше 25°C. Этого сложно достичь с радиатором с воздушным охлаждением. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается с повышением температуры. Это так называемое снижение номинальных характеристик. Многие спецификации устройств питания включают график зависимости рассеиваемой энергии от температуры корпуса.

Итог

  • Рассеяние мощности: максимально допустимое постоянное рассеяние мощности.
  • Обратные напряжения: максимально допустимые VКЭ, VКБ, VЭБ.
  • Коллекторный ток: максимально допустимый коллекторный ток.
  • Напряжение насыщения: падение напряжения VКЭ в насыщенном (полностью проводящем) транзисторе.
  • Бета-коэффициент: β = IК / IБ.
  • Альфа-коэффициент: α = IК / IЭ, α = β / (β + 1).
  • Транзисторные корпуса являются основным фактором рассеивания мощности. Чем больше размер – тем больше рассеивается энергии.

См.также

Внешние ссылки

  1. ↑ www.allaboutcircuits.com - Transistor Ratings and Packages (BJT)
Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное
Теория по электронике
Постоянный ток
Основные концепты электричества • Статическое электричество • Проводники, диэлектрики и поток электронов • Что такое электрические цепи • Напряжение и электроток • Сопротивление • Напряжение и электроток в реальной цепи • Условный ток и поток электронов
Закон Ома • Закон Ома – Как напряжение, сила тока и сопротивление связаны друг с другом • Аналогия для закона Ома • Мощность в электрических цепях • Расчёт электрической мощности • Резисторы • Нелинейная проводимость • Построение цепи • Полярность перепада напряжения • Компьютерная симуляция электрических цепей
Правила электробезопасности • Важность правил электробезопасности • Воздействие электричества на психологическое состояние • Путь, который ток проходит перед ударом • Закон Ома (снова!) • Техника безопасности • Первая медицинская помощь при ударе током • Распространённые источники опасности • Проектирование электроцепей с учётом требований безопасности • Безопасное использование приборов для измерения электрических показателей • Данные о влиянии удара током на тело человека
Экспоненциальная запись и метрические приставки • Экспоненциальная запись • Арифметические операции для экспоненциальной записи • Метрические обозначения • Преобразование метрических приставок • Используем ручной калькулятор • Экспоненциальная форма в программе SPICE
Последовательные и параллельные электрические цепи • Что такое «последовательные» и «параллельные» электрические цепи • Простая последовательная цепь • Простая параллельная цепь • Электропроводность • Рассчитываем мощность • Правильно используем закон Ома • Анализ отказов компонентов цепи • Строим простые резистивные цепи
Схемы с делителями напряжения и правила Кирхгофа • Схемы с делителем напряжения • Правило напряжений Кирхгофа (ПНК) • Цепи – делители тока и формула делителя тока • Правило Кирхгофа для силы тока (ПКТ)
Комбинированные последовательно-параллельные схемы • Что такое последовательно-параллельная цепь • Методы анализа последовательно-параллельных резисторных цепей • Перерисовываем избыточно усложнённые схемы • Анализ отказов компонентов (продолжение) • Построение простых резисторных цепей
Измерения в электрических цепях постоянного тока • Что такое измеритель? • Как устроен вольтметр • Как вольтметр влияет на измеряемую цепь • Как устроен амперметр • Как амперметр влияет на измеряемую цепь • Как устроен омметр • Высоковольтный омметр • Мультиметры • Кельвиновское 4-проводное измерение сопротивления • Мостовые схемы • Как устроен ваттметр • Как самостоятельно сделать ручной калибратор
Сигналы электрического оборудования • Аналоговые и цифровые сигналы • Системы сигналов напряжения • Системы сигналов силы тока • Тахогенераторы • Теромопары • Измерения pH • Тензодатчики
Анализ сети постоянного тока • Что такое сетевой анализ? • Метод токов ветвей • Аналитический метод контурных токов • Метод узловых потенциалов • Введение в сетевые теоремы • Теорема Миллмана • Теорема о суперпозиции • Теорема Тевенена • Теорема Нортона • Эквивалентность схем Тевенена и Нортона • И вновь о теореме Миллмана • Теорема о передаче максимальной мощности • Δ-Y и Y-Δ преобразования
Батареи и системы питания • Поведение электронов при химических реакциях • Батарейные конструкции • Рейтинг батарей • Батареи специального назначения • Практические рекомендации при использовании батарей
Физика проводников и диэлектриков • Введение в физику проводников и диэлектриков • Размеры проводов• Допустимые токовые нагрузки на провода • Предохранители • Удельное сопротивление • Температурный коэффициент сопротивления • Сверхпроводимость • Пробивное напряжение диэлектрика
Конденсаторы • Электрическое поле и ёмкость • Конденсаторы и дифференциальное исчисление • Факторы, влияющие на ёмкость конденсатора • Последовательное и параллельное соединение конденсаторов • Практические соображения - Конденсаторы
Магнетизм и электромагнетизм • Постоянные магниты • Электромангетизм • Единицы измерения магнитных величин • Магнитная проницаемость и насыщение • Электромагнитная индукция • Взаимная индукция
Катушки индуктивности • Магнитные поля и индуктивность • Катушки индуктивности и дифференциальное исчисление • Факторы, влияющие на индуктивность • Катушки индуктивности в последовательных и параллельных соединениях • Практические соображения – Катушки индуктивности
Постоянные времени в RC и L/R цепях • Переходные процессы в электрических цепях • Переходные процессы в цепях с конденсатором • Переходные процессы в цепях с катушкой индуктивности • Расчёт напряжения и силы тока • Почему L/R, а не LR? • Комплексные расчёты напряжения и тока • Сложные схемы • Расчёт неизвестного времени
Переменный ток
Основы теории переменного тока • Что такое переменный ток? • Формы волн переменного тока • Измерение величин переменного тока • Расчёт простейшей цепи переменного тока • Фаза переменного тока • Принципы радио
Комплексные числа • Введение в комплексные числа • Векторы и волны переменного тока • Сложение простых векторов • Сложение сложных векторов • Полярная и алгебраическая запись комплексных чисел • Арифметика комплексных чисел • И ещё по поводу полярности переменного тока • Несколько примеров с цепями переменного тока
Реактанс и импеданс – Индуктивность • Резистор в цепи переменного тока (Индуктивность) • Катушка индуктивности в цепи переменного тока • Последовательные резистивно-индуктивные цепи • Параллельные резистивно-индуктивные цепи • Особенности катушек индуктивности • Что такое «скин-эффект»?
Реактанс и импеданс – Ёмкость • Резистор в цепи переменного тока (Ёмкость) • Конденсатор в цепи переменного тока • Последовательные резистивно-ёмкостные цепи • Параллельные резистивно-ёмкостные цепи • Особенности конденсаторов
Реактанс и импеданс – R/L/C-цепи • Обзор R, X и Z (сопротивление, реактанс и импеданс) • Последовательные R/L/C-цепи • Параллельные R/L/C-цепи • Последовательно-параллельные R/L/C-цепи • Реактивная проводимость и адмиттанс • R/L/C-цепи – что в итоге?
Резонанс • Электрический маятник • Простой параллельный резонанс (колебательный контур) • Простой последовательный резонанс • Применение резонанса • Резонанс в последовательно-параллельных цепях • Добротность и полоса пропускания резонансной цепи
Сигналы переменного тока смешанной частоты • Сигналы переменного тока смешанной частоты - Введение • Прямоугольные волновые сигналы • Другие волновые формы • Подробнее о спектральном анализе • Эффекты в электрических цепях
Фильтры • Что такое фильтр? • Низкочастотные фильтры • Высокочастотные фильтры • Полосовые фильтры • Полосно-заграждающие фильтры • Резонансные фильтры • Подводя итоги по фильтрам
Трансформаторы • Взаимная индуктивность и основные операции • Повышающие и понижающие трансформаторы • Электрическая изоляция • Фазировка • Конфигурации обмотки • Регулировка напряжения • Специальные трансформаторы и приложения • Практические соображения – Трансформаторы
Многофазные цепи переменного тока • Однофазные системы питания • Трёхфазные системы питания • Чередование фаз • Устройство многофазного двигателя • Трёхфазные Y- и дельта-конфигурации • Трёхфазные цепи с трансформатором • Гармоники в многофазных энергосистемах • Гармонические фазовые последовательности
Коэффициент мощности • Мощность в резистивных и реактивных цепях переменного тока • Истинная, реактивная и полная мощность • Расчёт коэффициента мощности • Практическая коррекция коэффициента мощности
Измерение цепей переменного тока • Вольтметры и амперметры переменного тока • Измерение частоты и фазы • Измерение мощности • Измерение качества электроэнергии • Мостовые схемы переменного тока • Измерительные преобразователи переменного тока
Двигатели переменного тока • Введение в двигатели переменного тока • Синхронные двигатели • Синхронный конденсатор • Двигатель с магнитным сопротивлением • Шаговые двигатели • Бесщёточный двигатель постоянного тока • Многофазные асинхронные двигатели Теслы • Асинхронные двигатели с фазным ротором • Однофазные асинхронные двигатели • Прочие специализированные двигатели • Сельсин-двигатели (синхронизированные двигатели) • Коллекторные двигатели переменного тока
Линии передачи • Кабель на 50 Ом? • Электрические цепи и скорость света • Характеристический импеданс • Линии передачи конечной длины • «Длинные» и «короткие» линии передачи • Стоячие волны и резонанс • Преобразование импеданса • Волноводы
Полупроводники
Усилители и активные устройства • От электрики к электронике • Активные и пассивные устройства • Усилители • Коэффициент усиления • Децибелы • Абсолютные дБ-шкалы • Аттенюаторы
Теория твердотельных приборов • Введение в теорию твердотельных устройств • Квантовая физика • Валентность и кристаллическая структура • Зонная теория твёрдых тел • Электроны и «дырки» • P-N-переход • Полупроводниковые диоды • Транзисторы с биполярным переходом • Полевые транзисторы • Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) • Тиристоры • Методы производства полупроводников • Сверхпроводящие устройства • Квантовые устройства • Полупроводниковые приборы в SPICE
Диоды и выпрямители • Диоды и выпрямители – Введение • Проверка диодов мультиметром • Номинальные характеристики диодов • Схемы выпрямителей • Пиковый детектор • Схемы ограничителей напряжения • Схемы фиксаторов уровня • Умножители напряжения (удвоители, утроители, учетверители и т.д.) • Схемы коммутации индуктивных нагрузок • Диодные схемы коммутации • Что такое диод Зенера (стабилитрон)? • Диоды специального назначения • Прочие диодные технологии • Модели диодов в SPICE
Биполярные транзисторы • Транзисторы с биполярным переходом (ТБП) – Введение • Транзистор с биполярным переходом (ТБП) как переключатель • Проверка транзистора с биполярным переходом (ТБП) с помощью мультиметра • Активный режим работы транзистора с биполярным переходом (ТБП) • Усилительный каскад с общим эмиттером • Усилительный каскад с общим коллектором • Усилительный каскад с общей базой • Каскодный усилитель • Методы смещения для транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Расчёт смещения для транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Взаимодействие входа и выхода в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Обратная связь в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Импеданс усилителя • Токовые зеркала в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Особенности транзисторов с биполярным переходом (ТБП)
Полевые транзисторы • Полевые транзисторы (JFET) – Введение • Полевой транзистор (JFET) как переключатель • Проверка полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра • Активный режим работы полевого транзистора (JFET)
Полевые транзисторы с изолированным затвором • Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение • Обедняющие полевые транзисторы с изолированным затвором • Биполярные транзисторы с изолированным затвором
Тиристоры • Гистерезис • Газоразрядные лампы • Диод Шокли (динистор) • DIAC (симметричный динистор) • Управляемый кремниевый выпрямитель (SCR-тиристор) • TRIAC (симметричный тринистор, триак) • Оптотиристоры • Однопереходной транзистор • Управляемый кремниевый коммутатор (SCS-тиристор) • Тиристоры с полевым управлением
Операционные усилители • Операционные усилители (ОУ) – Введение • Несимметричные и дифференциальные усилители • «Операционный» усилитель • Отрицательная обратная связь • Делитель напряжения в цепи обратной связи • Аналогия для делителя напряжения в цепи обратной связи • Преобразование сигнала напряжения в сигнал тока • Схемы усреднителя и сумматора • Построение дифференциальных усилителей • Инструментальный (измерительный) усилитель • Схемы дифференциатора и интегратора • Положительная обратная связь • Практические аспекты ОУ • Модели операционных усилителей
Практические аналоговые полупроводниковые схемы • Электростатический разряд • Схемы источников питания • Схемы усилителей • Осцилляторные схемы • Радиосхемы • Вычислительные схемы • Измерительные схемы
Приводы двигателей постоянного тока • Широтно-импульсная модуляция
Электронные лампы • Электронные лампы – Введение • История электронных ламп – с чего всё началось • Триод • Тетрод • Силовой лучевой тетрод • Пентод • Комбинированные электронные лампы • Характеристики электронных ламп • Ионизированные (газовые) электронные лампы • Индикаторные электронные лампы • Микроволновые электронные лампы • Сравниваем электронные лампы и полупроводники
Цифровая электроника
Системы счисления • Числа и способы их выражения • Системы счисления • Сравниваем десятеричные и двоичные числа • Восьмеричная и шестнадцатеричная системы счисления • Восьмеричные и шестнадцатеричные числа преобразовываем в десятеричные • Преобразование из десятеричной системы счисления
Двоичная арифметика • Числа и системы счисления • Двоичное сложение • Отрицательные двоичные числа • Двоичное вычитание • Двоичное переполнение • Наборы битов
Логические вентили • Цифровые сигналы и вентили • Вентили «НЕ» • «Буферные» вентили • Вентили с более чем одним входом • Транзисторно-транзисторная логика вентилей «И-НЕ» и «И» • Транзисторно-транзисторная логика вентилей «ИЛИ-НЕ» и «ИЛИ» • Схемы КМОП-вентилей • Специальные выходы в вентилях • Универсальность вентилей «И-НЕ» и «ИЛИ-НЕ» • Уровни напряжения для «высоких» и «низких» логических сигналов • Вентильные DIP корпусы
Переключатели • Типы переключателей • Как устроены контакты переключателей • «Нормальное» состояние контакта и последовательное замыкание/размыкание • «Дребезжание» контактов
Электромеханические реле • Устройство реле • Контакторы • Реле с задержкой времени • Защитные реле • Твердотельные реле
Релейная логика • «Лестничные» диаграммы • Функции цифровой логики • Разрешающие и блокирующие схемы • Схемы управления двигателем • Отказоустойчивость • Программируемые логические контроллеры (ПЛК)
Булева алгебра • Булева алгебра – Введение • Логическая арифметика • Булевы алгебраические тождества • Булевы алгебраические свойства • Логические правила для упрощения • Примеры упрощения схем • Функция «Исключающее ИЛИ»: вентиль XOR • Законы де Моргана • Преобразование таблиц истинности в логические выражения
Карты Карно • Карты Карно – Введение • Диаграммы Венна и множества • Булевы соотношения на диаграммах Венна • Преобразование диаграмм Венна в карты Карно • Карты Карно, таблицы истинности и логические выражения • Упрощение логики с помощью карт Карно • Бо́льшие карты Карно с 4-мя переменными • Минтермы и макстермы в реализациях • Обозначения сумм и произведений • Поля «безразличия» на картах Карно • Бо́льшие карты Карно с 5-ю и 6-ю переменными
Функции комбинационной логики • Функции комбинационной логики – Введение • Неполный сумматор • Полный сумматор • Декодер • Кодер • Демультиплексоры • Мультиплексоры • Совместное использование множественных комбинационных схем
Мультивибраторы • Цифровая логика с обратной связью • SR-защёлка • Вентильная SR-защёлка • D-защёлка • Защёлки с запуском по фронту сигнала: триггеры • JK-триггер • Триггеры с асинхронными входами • Моностабильные мультивибраторы
Схемы последовательностей • Двоичная счётная последовательность • Асинхронные счётчики • Синхронные счётчики • Конечные автоматы
Сдвиговые регистры • Сдвиговые регистры – Введение • Сдвиговые регистры: последовательный вход, последовательный выход (SISO) • Сдвиговые регистры: параллельный вход, последовательный выход (PISO) • Сдвиговые регистры: последовательный вход, параллельный выход (SIPO) • Универсальные сдвиговые регистры: параллельный вход, параллельный выход (PIPO) • Кольцевые счётчики
Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразования • Цифро-аналоговые (ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преобразования – Введение • ЦАП R/2nR: цифро-аналоговый преобразователь с двоично-взвешенным входом • ЦАП R/2R: (цифро-аналоговый преобразователь) • Параллельные АЦП • Цифровые ступенчатые АЦП • АЦП с последовательным приближением • Отслеживающий АЦП • Скатные (интегрирующие) АЦП • Дельта-сигма АЦП • Практические аспекты схем АЦП
Цифровая связь • Цифровая связь – Введение • Сети и шины • Потоки данных • Типы электрических сигналов • Оптическая передача данных • Топология сети • Сетевые протоколы • Практические аспекты цифровой связи
Цифровое хранилище (память) • Почему «цифровое»? • Понятия и концепции цифровой памяти • Современная немеханическая память • Устаревшие немеханические технологии памяти • Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) • Память с движущимися частями: «Приводы»
Принципы цифровых вычислений • Двоичный сумматор • Таблицы поиска • Конечные автоматы • Микропроцессоры • Микропроцессорное программирование
Справочные материалы
Полезные уравнения и коэффициенты пересчёта • Уравнения и законы для цепей постоянного тока • Правила последовательных цепей • Правила параллельных цепей • Эквивалентные значения компонентов в последовательных и параллельных цепях • Уравнение ёмкости конденсатора • Уравнение катушки индуктивности • Уравнения постоянной времени • Уравнения цепей переменного тока • Уравнения для децибел • Метрические приставки и преобразования единиц измерения
Цветовая маркировка • Цветовая маркировка резисторов • Цветовая маркировка проводки • Инфографика цветовой маркировки проводки
Таблицы проводников и диэлектриков • Таблица калибров медной проволоки • Таблица допустимых нагрузок для медного провода • Коэффициенты удельного сопротивления • Таблица температурных коэффициентов сопротивления • Критические температуры для сверхпроводников • Диэлектрическая прочность изоляторов
Справочник по алгебре • Основные алгебраические тождества • Основные свойства арифметики • Свойства степеней • Извлечение корней • Важные константы • Логарифмы • Формулы сокращённого умножения • Квадратное уравнение • Прогрессии • Факториалы • Решение систем уравнений: метод подстановки и метод сложения
Справочник по тригонометрии • Тригонометрия прямоугольного треугольника • Тригонометрия произвольного треугольника • Тригонометрические формулы • Гиперболические функции
Справочник по исчислению • Формулы вычисления пределов • Производная числа • Общие производные • Производные показательных функций с основанием e • Производные простых тригонометрических функций • Правила вычисления производных • Первообразная (неопределённый интеграл) • Общие первообразные • Первообразные показательных функций от числа e • Правила вычисления первообразных • Определённые интегралы и основная теорема исчисления • Дифференциальные уравнения
Использование программы SPICE для моделирования электрических схем • Программа моделирования электрических цепей SPICE — Введение • История программы SPICE • Основы программирования в SPICE • Интерфейс командной строки • Компоненты электрических схем • Опции для проведения анализа • Странные особенности программы SPICE • Примеры электрических цепей и списков связей
Устранение неполадок – теория и практика • Вопросы, которые следует задать, прежде чем продолжить • Общие советы по устранению неполадок • Конкретные методы устранения неполадок • Вероятные сбои в проверенных системах • Вероятные сбои в непроверенных системах • Возможные ментальные ловушки
Схематические обозначения элементов цепи • Провода и соединения • Источники питания • Типы резисторов • Типы конденсаторов • Катушки индуктивности • Взаимные катушки индуктивности • Переключатели с ручным управлением • Управляемые процессом переключатели • Переключатели с электрическим приводом (реле) • Соединители • Диоды • Биполярные транзисторы • Переходные транзисторы с полевым эффектом (JFET) • Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET) • Гибридные транзисторы • Тиристоры • Интегральные схемы • Электронные лампы
Периодическая таблица химических элементов • Таблица Менделеева
Эксперименты
Введение • Электроника как точная наука • Обустраиваем домашнюю лабораторию
Основные концепции и испытательное оборудование • Использование вольтметра • Использование омметра • Очень простая схема • Использование амперметра при измерении силы тока • Закон Ома • Нелинейное сопротивление • Рассеяние мощности • Цепь с переключателем • Эксперимент по электромагнетизму • Эксперимент с электромагнитной индукцией
Электрические цепи постоянного тока • Электрические цепи постоянного тока – Введение • Последовательные источники питания • Параллельные источники питания • Делитель напряжения • Делитель тока • Потенциометр как делитель напряжения • Потенциометр как реостат • Прецизионный потенциометр • Ограничение диапазона реостата • Термоэлектричество • Мультиметр своими руками • Чувствительный детектор напряжения • Потенциометрический вольтметр • 4-проводное измерение сопротивления • Простейший компьютер • Картошка-батарейка • Зарядка и разрядка конденсатора • Индикатор скорости изменения
Электрические цепи переменного тока • Электрические цепи переменного тока – Введение • Трансформатор – блок питания • Сборка трансформатора • Переменный индуктор • Чувствительный аудиодетектор • Обнаружение магнитных полей переменного тока • Обнаружение электрических полей переменного тока • Альтернатор – автомобильный генератор • Асинхронный двигатель • Асинхронный двигатель побольше • Фазовый сдвиг • Погашение звука • Музыкальный синтезатор как генератор сигналов • ПК-осциллограф • Анализ волновых сигналов • Колебательный контур • Сигнальная связь
Дискретные полупроводниковые схемы • Дискретные полупроводниковые схемы – Введение • Коммутирующий диод • Полупериодный выпрямитель • Двухполупериодный мостовой выпрямитель • Двухполупериодный выпрямитель с центральным отводом • Цепь «выпрямитель/фильтр» • Регулятор напряжения • Транзистор как переключатель • Датчик статического электричества • Датчик импульсного света • Повторитель напряжения • Усилитель с общим эмиттером • Многокаскадный усилитель • Как построить схему токового зеркала • JFET – регулятор тока • Дифференциальный усилитель • Простой операционный усилитель • Аудио осциллограф • Ламповый аудио усилитель
Аналоговые интегральные схемы • Аналоговые интегральные схемы – Введение • Компаратор напряжения • Прецизионный повторитель напряжения • Неинвертирующий усилитель • Высокоимпедансный вольтметр • Интегратор • Аудио осциллограф на таймерной схеме 555 • Наклонный генератор на таймерной схеме 555 • ШИМ-контроллер мощности • Аудиоусилитель класса B
Цифровые интегральные схемы • Цифровые интегральные схемы – Введение • Основная функция вентилей • SR-защёлка на основе вентилей «ИЛИ-НЕ» • SR-защёлка на основе вентиля «И-НЕ» с входом разрешения • SR-триггер на основе вентиля «И-НЕ» • Светодиодный секвенсор • Простейший кодовый замок • 3-битный двоичный счётчик • 7-сегментный дисплей
Таймерные схемы 555 • Интегральный таймер 555 • Триггер Шмитта на интегральном таймере 555 • Гистерезисный осциллограф на интегральном таймере 555 • Моностабильный мультивибратор на интегральном таймере 555 • Минимальное количество комплектующих для КМОП-схемы 555 проблескового прибора длительного действия на красных светодиодах • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на синих светодиодах • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на светодиодах обратного хода • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на красных светодиодах

Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Электроника:Полупроводники/Биполярные_транзисторы/Параметры_и_корпуса_транзисторов_с_биполярным_переходом_(ТБП)&oldid=7737487