Электроника:Полупроводники/Практические аналоговые полупроводниковые схемы/Измерительные схемы: различия между версиями
Valemak (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Измерительные схемы<...») |
Нет описания правки |
||
(не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
Строка 7: | Строка 7: | ||
На рисунке 1 ниже показан усилитель сигнала фотодиода для измерения слабого освещения. Наилучшая чувствительность и полоса пропускания достигаются с помощью трансимпедансного усилителя (усилителя тока/напряжение, вместо обычного операционного усилителя). Фотодиод остаётся обратно включённым при минимальной ёмкости диода, следовательно, обеспечивается более широкая полоса пропускания при меньшем «шуме». Резистор обратной связи устанавливает «усиление», то есть коэффициент усиления тока к напряжению. Типичные значения – от 1 до 10 МОм. Более высокие значения дают больший выигрыш. Может потребоваться конденсатор на несколько пФ для компенсации ёмкости фотодиода и предотвращения нестабильности при высоком усилении. Разводка в суммирующем узле должна быть максимально компактной. Эта точка чувствительна к загрязнениям печатной платы и требует тщательной очистки. Самые чувствительные усилители содержат и фотодиод, и усилитель в едином корпусе гибридной микросхемы или на одном кристалле. | На рисунке 1 ниже показан усилитель сигнала фотодиода для измерения слабого освещения. Наилучшая чувствительность и полоса пропускания достигаются с помощью трансимпедансного усилителя (усилителя тока/напряжение, вместо обычного операционного усилителя). Фотодиод остаётся обратно включённым при минимальной ёмкости диода, следовательно, обеспечивается более широкая полоса пропускания при меньшем «шуме». Резистор обратной связи устанавливает «усиление», то есть коэффициент усиления тока к напряжению. Типичные значения – от 1 до 10 МОм. Более высокие значения дают больший выигрыш. Может потребоваться конденсатор на несколько пФ для компенсации ёмкости фотодиода и предотвращения нестабильности при высоком усилении. Разводка в суммирующем узле должна быть максимально компактной. Эта точка чувствительна к загрязнениям печатной платы и требует тщательной очистки. Самые чувствительные усилители содержат и фотодиод, и усилитель в едином корпусе гибридной микросхемы или на одном кристалле. | ||
[[File:III-09_8_1.jpg|400px|center|thumb|Рис. 1. Фотодиодный усилитель.|alt=Рис. 1. Фотодиодный усилитель.]] | [[File:III-09_8_1.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Фотодиодный усилитель.|alt=Рис. 1. Фотодиодный усилитель.]] | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
Строка 17: | Строка 17: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:44, 22 мая 2023
Измерительные схемы[1]
На рисунке 1 ниже показан усилитель сигнала фотодиода для измерения слабого освещения. Наилучшая чувствительность и полоса пропускания достигаются с помощью трансимпедансного усилителя (усилителя тока/напряжение, вместо обычного операционного усилителя). Фотодиод остаётся обратно включённым при минимальной ёмкости диода, следовательно, обеспечивается более широкая полоса пропускания при меньшем «шуме». Резистор обратной связи устанавливает «усиление», то есть коэффициент усиления тока к напряжению. Типичные значения – от 1 до 10 МОм. Более высокие значения дают больший выигрыш. Может потребоваться конденсатор на несколько пФ для компенсации ёмкости фотодиода и предотвращения нестабильности при высоком усилении. Разводка в суммирующем узле должна быть максимально компактной. Эта точка чувствительна к загрязнениям печатной платы и требует тщательной очистки. Самые чувствительные усилители содержат и фотодиод, и усилитель в едином корпусе гибридной микросхемы или на одном кристалле.
См.также
Внешние ссылки