Электроника:Полупроводники/Тиристоры/Однопереходной транзистор: различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показаны 3 промежуточные версии 2 участников)
Строка 3: Строка 3:
{{Myagkij-редактор}}
{{Myagkij-редактор}}


=Однопереходной транзистор<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-7/unijunction-transistor-ujt/ www.allaboutcircuits.com - The Unijunction Transistor (UJT)]</ref>=
=[[Однопереходной транзистор]]<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-7/unijunction-transistor-ujt/ www.allaboutcircuits.com - The Unijunction Transistor (UJT)]</ref>=


== Однопереходной транзистор ==
== [[Однопереходной транзистор]] ==


Хотя ''однопереходный транзистор'' не является тиристором, данное устройство может запускать более крупные тиристоры с помощью импульса на базе Б<sub>1</sub>. Однопереходный транзистор состоит из кремниевого стержня N-типа, имеющего посередине подключение Р-типа (см. рисунок 1.а). Соединения на концах стержня известны как базы Б<sub>1</sub> и Б<sub>2</sub>; средняя точка P-типа – это эмиттер. Когда эмиттер отключён, полное сопротивление R<sub>ББ0</sub>, указанное в таблице данных, представляет собой сумму сопротивлений R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> (показано на рисунке 1.б). R<sub>ББ0</sub> составляет от 4 до 12 кОм для различных типов устройств. Коэффициент передачи η – это отношение сопротивлений R<sub>Б1</sub> к R<sub>ББ0</sub>. Варьируется от 0,4 до 0,8 для разных устройств. Схемное обозначение показано на рисунке 1.в.
Хотя ''[[однопереходный транзистор]]'' не является [[тиристор]]ом, данное устройство может запускать более крупные [[тиристор]]ы с помощью импульса на базе Б<sub>1</sub>. [[Однопереходный транзистор]] состоит из кремниевого стержня N-типа, имеющего посередине подключение Р-типа (см. рисунок 1.а). Соединения на концах стержня известны как базы Б<sub>1</sub> и Б<sub>2</sub>; средняя точка P-типа – это [[эмиттер]]. Когда [[эмиттер]] отключён, полное сопротивление R<sub>ББ0</sub>, указанное в таблице данных, представляет собой сумму сопротивлений R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> (показано на рисунке 1.б). R<sub>ББ0</sub> составляет от 4 до 12 кОм для различных типов устройств. Коэффициент передачи η – это отношение сопротивлений R<sub>Б1</sub> к R<sub>ББ0</sub>. Варьируется от 0,4 до 0,8 для разных устройств. Схемное обозначение показано на рисунке 1.в.


[[File:III-07_8_1.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Однопереходный транзистор: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.|alt=Рис. 1. Однопереходный транзистор: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.]]
[[File:III-07_8_1.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 1.''' [[Однопереходный транзистор]]: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.|alt=Рис. 1. Однопереходный транзистор: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.]]


График зависимости тока однопереходного эмиттера от напряжения (рисунок 2.а ниже) показывает, что по мере увеличения V<sub>Э</sub> ток I<sub>Э</sub> увеличивается до пикового I<sub>П</sub>. За пределами пиковой точки ток увеличивается по мере уменьшения напряжения в области отрицательного сопротивления. Напряжение достигает минимума в точке впадины. Сопротивление R<sub>Б1</sub> (сопротивление насыщения) является самым низким в точке впадины.
График зависимости тока однопереходного [[эмиттер]]а от напряжения (рисунок 2.а ниже) показывает, что по мере увеличения V<sub>Э</sub> ток I<sub>Э</sub> увеличивается до пикового I<sub>П</sub>. За пределами пиковой точки ток увеличивается по мере уменьшения напряжения в области отрицательного сопротивления. Напряжение достигает минимума в точке впадины. Сопротивление R<sub>Б1</sub> (сопротивление насыщения) является самым низким в точке впадины.


I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub> – параметры из таблицы данных. Для модели 2n2647 I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub> равны 2 мкА и 4 мА соответственно. V<sub>П</sub> – падение напряжения на R<sub>Б1</sub> плюс падение на диоде 0,7 В; см. рисунок 2.б ниже. V<sub>В</sub> оценивается примерно в 10% от V<sub>ББ</sub>.
I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub> – параметры из таблицы данных. Для модели [[2n2647]] I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub> равны 2 мкА и 4 мА соответственно. V<sub>П</sub> – падение напряжения на R<sub>Б1</sub> плюс падение на диоде 0,7 В; см. рисунок 2.б ниже. V<sub>В</sub> оценивается примерно в 10% от V<sub>ББ</sub>.


[[File:III-07_8_2.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 2.''' Однопереходный транзистор: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для V<sub>П</sub>.|alt=Рис. 2. Однопереходный транзистор: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для VП.]]
[[File:III-07_8_2.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 2.''' [[Однопереходный транзистор]]: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для V<sub>П</sub>.|alt=Рис. 2. Однопереходный транзистор: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для VП.]]


Релаксационный осциллятор представляет собой приложение однопереходного транзистора. R<sub>Э</sub> заряжает C<sub>Э</sub> до пиковой точки. Вывод однопереходного эмиттера не влияет на конденсатор, пока не будет достигнута эта точка. Когда напряжение на конденсаторе V<sub>Э</sub> достигает точки пикового напряжения V<sub>П</sub>, пониженное сопротивление эмиттер/база1 R<sub>ЭБ1</sub> быстро разряжает конденсатор. Как только конденсатор разряжается ниже точки впадины V<sub>В</sub>, сопротивление R<sub>ЭБ1</sub> снова становится высоким, и конденсатор снова может заряжаться.
[[Релаксационный осциллятор]] представляет собой приложение [[однопереходного транзистора]]. R<sub>Э</sub> заряжает C<sub>Э</sub> до пиковой точки. Вывод [[однопереходного эмиттера]] не влияет на [[конденсатор]], пока не будет достигнута эта точка. Когда напряжение на [[конденсатор]]е V<sub>Э</sub> достигает точки пикового напряжения V<sub>П</sub>, пониженное сопротивление эмиттер/база1 R<sub>ЭБ1</sub> быстро разряжает [[конденсатор]]. Как только [[конденсатор]] разряжается ниже точки впадины V<sub>В</sub>, сопротивление R<sub>ЭБ1</sub> снова становится высоким, и [[конденсатор]] снова может заряжаться.


[[File:III-07_8_3.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 3.''' Схема релаксационного осциллятора на однопереходном транзисторе и волны сигналов.  Генератор управляет SCR-тиристором.|alt=Рис. 3. Схема релаксационного осциллятора на однопереходном транзисторе и волны сигналов.  Генератор управляет SCR-тиристором.]]
[[File:III-07_8_3.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 3.''' Схема [[релаксационного осциллятора]] на [[однопереходном транзисторе]] и волны сигналов.  Генератор управляет [[SCR-тиристор]]ом.|alt=Рис. 3. Схема релаксационного осциллятора на однопереходном транзисторе и волны сигналов.  Генератор управляет SCR-тиристором.]]


Во время разрядки конденсатора через сопротивление насыщения R<sub>ЭБ1</sub> на внешних нагрузочных резисторах R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> можно наблюдать импульс, см. рисунок 3 выше. Нагрузочный резистор на R<sub>Б1</sub> должен быть низким, чтобы не влиять на время разрядки. Внешний резистор на R<sub>Б2</sub> не является обязательным. Его можно заменить коротким замыканием. Приблизительная частота равна 1/f = T = R<sub>C</sub>. Более точное выражение для частоты дано на рисунке 3 выше.
Во время разрядки [[конденсатор]]а через сопротивление насыщения R<sub>ЭБ1</sub> на внешних нагрузочных [[резистор]]ах R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> можно наблюдать импульс, см. рисунок 3 выше. [[Нагрузочный резистор]] на R<sub>Б1</sub> должен быть низким, чтобы не влиять на время разрядки. Внешний [[резистор]] на R<sub>Б2</sub> не является обязательным. Его можно заменить коротким замыканием. Приблизительная частота равна 1/f = T = RC. Более точное выражение для частоты дано на рисунке 3 выше.


Зарядный резистор R<sub>Э</sub> должен находиться в определённых пределах. Он должен быть достаточно мал, чтобы позволить I<sub>П</sub> течь за счёт V<sub>ББ</sub> питания меньшего, чем V<sub>П</sub>. Он должен быть достаточно большим, чтобы поставлять I<sub>В</sub> за счёт V<sub>ББ</sub> питания меньшего, чем V<sub>В</sub>. Пример уравнения для модели 2n2647:
Зарядный [[резистор]] R<sub>Э</sub> должен находиться в определённых пределах. Он должен быть достаточно мал, чтобы позволить I<sub>П</sub> течь за счёт V<sub>ББ</sub> питания меньшего, чем V<sub>П</sub>. Он должен быть достаточно большим, чтобы поставлять I<sub>В</sub> за счёт V<sub>ББ</sub> питания меньшего, чем V<sub>В</sub>. Пример уравнения для модели 2n2647:


[[File:III-07_8_4.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 4.''' Расчёты для модели 2n2647.|alt=Рис. 4. Расчёты для модели 2n2647.]]
[[File:III-07_8_4.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 4.''' Расчёты для модели 2n2647.|alt=Рис. 4. Расчёты для модели 2n2647.]]


== Программируемый однопереходный транзистор (PUT) ==
== [[Программируемый однопереходный транзистор]] ([[PUT]]) ==


Хотя однопереходный транзистор считается устаревшим (то есть экономически нецелесообразным, поскольку доступны более дешёвые варианты), а вот ''программируемый однопереходный транзистор'' (''PUT'', от англ. '''''p'''rogrammable '''u'''nijunction '''t'''ransistor'') живёт и здравствует, ибо недорог в производстве. Хотя он выполняет функцию, аналогичную однопереходному транзистору, PUT – это трёхконтактный тиристор. PUT имеет четырёхслойную структуру, типичную для тиристоров (см. рисунок 5 ниже). Обратите внимание, что затвор, слой N-типа рядом с анодом, известен как «анодный затвор». Кроме того, вывод затвора на схемном обозначении прикреплён к анодному концу символа.
Хотя [[однопереходный транзистор]] считается устаревшим (то есть экономически нецелесообразным, поскольку доступны более дешёвые варианты), а вот ''[[программируемый однопереходный транзистор]]'' (''[[PUT]]'', от англ. '''''p'''rogrammable '''u'''nijunction '''t'''ransistor'') живёт и здравствует, ибо недорог в производстве. Хотя он выполняет функцию, аналогичную [[однопереходному транзистору]], [[PUT]] – это [[трёхконтактный тиристор]]. [[PUT]] имеет четырёхслойную структуру, типичную для [[тиристор]]ов (см. рисунок 5 ниже). Обратите внимание, что [[затвор]], слой N-типа рядом с [[анод]]ом, известен как «[[анодный затвор]]». Кроме того, вывод затвора на схемном обозначении прикреплён к [[анод]]ному концу символа.


[[File:III-07_8_5.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 5.''' Программируемый однопереходный транзистор: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.|alt=Рис. 5. Программируемый однопереходный транзистор: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.]]
[[File:III-07_8_5.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 5.''' [[Программируемый однопереходный транзистор]]: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.|alt=Рис. 5. Программируемый однопереходный транзистор: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.]]


Характеристическая кривая для программируемого однопереходного транзистора на рисунке 5 выше аналогична кривой для однопереходного транзистора. Это график зависимости анодного тока I<sub>А</sub> от анодного напряжения V<sub>А</sub>. Напряжение на затворе определяет пик анодного напряжения V<sub>П</sub>. По мере увеличения анодного тока напряжение увеличивается до пиковой точки. После этого увеличение тока приводит к снижению напряжения до точки впадины.
Характеристическая кривая для [[программируемого однопереходного транзистора]] на рисунке 5 выше аналогична кривой для [[однопереходного транзистора]]. Это график зависимости анодного тока I<sub>А</sub> от анодного напряжения V<sub>А</sub>. Напряжение на [[затвор]]е определяет пик анодного напряжения V<sub>П</sub>. По мере увеличения анодного тока напряжение увеличивается до пиковой точки. После этого увеличение тока приводит к снижению напряжения до точки впадины.


Эквивалент PUT однопереходного транзистора показан на рисунке 6 ниже. Внешние резисторы PUT R<sub>1</sub> и R<sub>2</sub> заменяют внутренние резисторы R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> однопереходного транзистора соответственно. Эти резисторы позволяют рассчитать коэффициент передачи η.
Эквивалент [[PUT]] [[однопереходного транзистора]] показан на рисунке 6 ниже. Внешние [[резистор]]ы [[PUT]] R<sub>1</sub> и R<sub>2</sub> заменяют внутренние [[резистор]]ы R<sub>Б1</sub> и R<sub>Б2</sub> [[однопереходного транзистора]] соответственно. Эти [[резистор]]ы позволяют рассчитать коэффициент передачи η.


[[File:III-07_8_6.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 6.''' PUT-эквивалент однопереходного транзистора.|alt=Рис. 6. PUT-эквивалент однопереходного транзистора.]]
[[File:III-07_8_6.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 6.''' [[PUT]]-эквивалент [[однопереходного транзистора]].|alt=Рис. 6. PUT-эквивалент однопереходного транзистора.]]


На рисунке 7 ниже показана версия релаксационного генератора на однопереходном PUT. Резистор R заряжает конденсатор до пиковой точки, затем сильная проводимость перемещает рабочую точку вниз по спуску отрицательного сопротивления к точке впадины. Во время разрядки конденсатора через катод проходят токовые импульсы, вызывающие всплески напряжения на катодных резисторах. После разрядки конденсатора рабочая точка возвращается к спуску до пиковой точки.
На рисунке 7 ниже показана версия [[релаксационного генератора на однопереходном PUT]]. [[Резистор]] R заряжает [[конденсатор]] до пиковой точки, затем сильная проводимость перемещает рабочую точку вниз по спуску отрицательного сопротивления к точке впадины. Во время разрядки [[конденсатор]]а через катод проходят токовые импульсы, вызывающие всплески напряжения на катодных [[резистор]]ах. После разрядки [[конденсатор]]а рабочая точка возвращается к спуску до пиковой точки.


[[File:III-07_8_7.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 7.''' Релаксационный PUT-осциллятор.|alt=Рис. 7. Релаксационный PUT-осциллятор.]]
[[File:III-07_8_7.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 7.''' [[Релаксационный PUT-осциллятор]].|alt=Рис. 7. Релаксационный PUT-осциллятор.]]


Проблема: каков диапазон подходящих значений для R на рисунке выше в релаксационном осцилляторе? Зарядный резистор должен быть достаточно маленьким, чтобы обеспечивать достаточный ток, дабы поднять на аноде до точки пика V<sub>П</sub> при зарядке конденсатора. Как только достигается V<sub>П</sub>, анодное напряжение уменьшается по мере увеличения тока (отрицательное сопротивление), что перемещает рабочую точку в самое нижнее положение. Это работа конденсатора для снабжения тока впадины I<sub>В</sub>. После того, как он разрядится, рабочая точка возвращается по восходящему наклону к пиковой точке. Резистор должен быть достаточно большим, чтобы никогда ток впадины I<sub>П</sub> не был слишком высоким. Если бы зарядный резистор когда-либо мог подавать такой большой ток, резистор подавал бы ток впадины после того, как конденсатор был разряжен, и рабочая точка никогда не вернулась бы к состоянию высокого сопротивления слева от пиковой точки.
'''Проблема:''' каков диапазон подходящих значений для R на рисунке выше в [[релаксационном осцилляторе]]? Зарядный [[резистор]] должен быть достаточно маленьким, чтобы обеспечивать достаточный ток, дабы поднять на [[анод]]е до точки пика V<sub>П</sub> при зарядке [[конденсатор]]а. Как только достигается V<sub>П</sub>, анодное напряжение уменьшается по мере увеличения тока (отрицательное сопротивление), что перемещает рабочую точку в самое нижнее положение. Это работа [[конденсатор]]а для снабжения тока впадины I<sub>В</sub>. После того, как он разрядится, рабочая точка возвращается по восходящему наклону к пиковой точке. [[Резистор]] должен быть достаточно большим, чтобы никогда ток впадины I<sub>П</sub> не был слишком высоким. Если бы зарядный [[резистор]] когда-либо мог подавать такой большой ток, [[резистор]] подавал бы ток впадины после того, как [[конденсатор]] был разряжен, и рабочая точка никогда не вернулась бы к состоянию высокого сопротивления слева от пиковой точки.


Возьмём то же напряжение V<sub>ББ</sub> = 10 В, что и для примера с однопереходным транзистором. Выбираем значения R<sub>1</sub> и R<sub>2</sub> так, чтобы η было около ⅔. Вычислим η и V<sub>S</sub>. Параллельным эквивалентом R<sub>1</sub>, R<sub>2</sub> является R<sub>З</sub>, который только выберем из таблицы ниже. Наряду с V<sub>S</sub> = 10, ближайшим значением к нашим 6.3, мы находим V<sub>Т</sub> = 0, после чего вычисляем V<sub>П</sub>.
Возьмём то же напряжение V<sub>ББ</sub> = 10 В, что и для примера с [[однопереходным транзистором]]. Выбираем значения R<sub>1</sub> и R<sub>2</sub> так, чтобы η было около ⅔. Вычислим η и V<sub>S</sub>. Параллельным эквивалентом R<sub>1</sub>, R<sub>2</sub> является R<sub>З</sub>, который только выберем из таблицы ниже. Наряду с V<sub>S</sub> = 10, ближайшим значением к нашим 6.3, мы находим V<sub>Т</sub> = 0, после чего вычисляем V<sub>П</sub>.


[[File:III-07_8_8.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 8.''' Находим V<sub>П</sub>.|alt=Рис. 8. Находим VП.]]
[[File:III-07_8_8.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 8.''' Находим V<sub>П</sub>.|alt=Рис. 8. Находим VП.]]
Строка 51: Строка 51:
Мы также находим I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub>, пиковый и минимальный токи, соответственно, в таблице. Нам всё ещё нужно V<sub>В</sub>, напряжение впадины. В предыдущем примере с однопереходным соединением мы использовали 10% от V<sub>ББ</sub> = 1 В. Просматривая данные, мы находим прямое напряжение V<sub>Пр.</sub> = 0,8 В при I<sub>Пр.</sub> = 50 мА. Ток впадины I<sub>В</sub> = 70 мкА намного меньше, чем I<sub>Пр.</sub> = 50 мА. Следовательно, V<sub>В</sub> должно быть меньше V<sub>Пр.</sub> = 0,8 В. Но насколько меньше? На всякий случай устанавливаем V<sub>В</sub> = 0 В. Это немного поднимет нижний предел диапазона резистора.
Мы также находим I<sub>П</sub> и I<sub>В</sub>, пиковый и минимальный токи, соответственно, в таблице. Нам всё ещё нужно V<sub>В</sub>, напряжение впадины. В предыдущем примере с однопереходным соединением мы использовали 10% от V<sub>ББ</sub> = 1 В. Просматривая данные, мы находим прямое напряжение V<sub>Пр.</sub> = 0,8 В при I<sub>Пр.</sub> = 50 мА. Ток впадины I<sub>В</sub> = 70 мкА намного меньше, чем I<sub>Пр.</sub> = 50 мА. Следовательно, V<sub>В</sub> должно быть меньше V<sub>Пр.</sub> = 0,8 В. Но насколько меньше? На всякий случай устанавливаем V<sub>В</sub> = 0 В. Это немного поднимет нижний предел диапазона резистора.


[[File:III-07_8_9.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 9.''' Определяем диапазон сопротивления резистора.|alt=Рис. 9. Определяем диапазон сопротивления резистора.]]
[[File:III-07_8_9.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 9.''' Определяем диапазон сопротивления [[резистор]]а.|alt=Рис. 9. Определяем диапазон сопротивления резистора.]]


Выбор R > 143к гарантирует, что рабочая точка может сбрасываться из точки впадины после разрядки конденсатора. R < 755к позволяет заряжать до V<sub>П</sub> в пиковой точке.
Выбор R > 143к гарантирует, что рабочая точка может сбрасываться из точки впадины после разрядки конденсатора. R < 755к позволяет заряжать до V<sub>П</sub> в пиковой точке.
Выбранные параметры 2n6027 PUT, адаптированные из таблицы.
Выбранные параметры 2n6027 PUT, адаптированные из таблицы.


{| class="wikitable"
{| class="wikitable" style="margin:0 auto"
|-
|-
! Параметр !! Условия !! Мин. !! Стандарт !! Макс. !! Ед. изм.
! Параметр !! Условия !! Мин. !! Стандарт !! Макс. !! Ед. изм.
Строка 83: Строка 83:
|}
|}
На рисунке ниже показан релаксационный генератор PUT с конечными значениями резисторов. Также показано практическое применение PUT, запускающего SCR. Для этой схемы требуется нефильтрованный источник питания V<sub>ББ</sub> (не показан на схеме), отделённый от мостового выпрямителя для сброса релаксационного генератора после каждого перехода через нулевую точку для мощности. Переменный резистор должен иметь минимальный резистор, включённый последовательно с ним, чтобы предотвратить зависание низкой настройки потенциометра в точке впадины.
На рисунке ниже показан [[релаксационный генератор PUT]] с конечными значениями [[резисто]]ров. Также показано практическое применение [[PUT]], запускающего [[SCR]]. Для этой схемы требуется нефильтрованный источник питания V<sub>ББ</sub> (не показан на схеме), отделённый от [[мостового выпрямителя]] для сброса релаксационного генератора после каждого перехода через нулевую точку для мощности. [[Переменный резистор]] должен иметь минимальный [[резистор]], включённый последовательно с ним, чтобы предотвратить зависание низкой настройки [[потенциометр]]а в точке впадины.


[[File:III-07_8_10.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 10.''' Релаксационный осциллятор PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы на SCR-тиристоре.|alt=Рис. 10. Релаксационный осциллятор PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы на SCR-тиристоре.]]
[[File:III-07_8_10.jpg|400px|center|thumb|'''Рис. 10.''' [[Релаксационный осциллятор PUT]] со значениями компонентов. [[PUT]] управляет [[диммер]]ом лампы на [[SCR-тиристор]]е.|alt=Рис. 10. Релаксационный осциллятор PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы на SCR-тиристоре.]]


Считается, что схемы синхронизации PUT могут использоваться до 10 кГц. Если вместо экспоненциального изменения требуется линейное нарастание, замените зарядный резистор на источник постоянного тока, такой как диод постоянного тока на основе полевого транзистора. Альтернативный PUT может быть построен из кремниевого транзистора PNP и NPN путём исключения катодного затвора и использования анодного затвора.
Считается, что схемы синхронизации [[PUT]] могут использоваться до 10 кГц. Если вместо экспоненциального изменения требуется линейное нарастание, замените зарядный резистор на источник постоянного тока, такой как [[диод]] постоянного тока на основе [[полевого транзистора]]. Альтернативный [[PUT]] может быть построен из кремниевого [[транзистор]]а [[PNP]] и [[NPN]] путём исключения катодного затвора и использования [[анодного затвора]].


== Итог ==
== Итог ==


*Однопереходный транзистор состоит из двух баз (Б<sub>1</sub>, Б<sub>2</sub>), прикреплённых к резистивной планке из кремния, и эмиттера в центре. Переход Э/Б<sub>1</sub> имеет свойства отрицательного сопротивления; он может переключаться между высоким и низким сопротивлением.
* [[Однопереходный транзистор]] состоит из двух баз (Б<sub>1</sub>, Б<sub>2</sub>), прикреплённых к резистивной планке из кремния, и [[эмиттер]]а в центре. Переход Э/Б<sub>1</sub> имеет свойства отрицательного сопротивления; он может переключаться между высоким и низким сопротивлением.
*PUT (программируемый однопереходный транзистор) представляет собой 3-контактный 4-слойный тиристор, действующий как однопереходный транзистор. Система из внешних резисторов «программирует» η.
* [[PUT]] ([[программируемый однопереходный транзистор]]) представляет собой 3-контактный 4-слойный [[тиристор]], действующий как [[однопереходный транзистор]]. Система из внешних [[резистор]]ов «программирует» η.
*Коэффициент передачи составляет η = R<sub>1</sub> / (R<sub>1</sub> + R<sub>2</sub>) для PUT; заменяя R<sub>B1</sub> и R<sub>B2</sub> соответственно для однопереходного транзистора. Напряжение переключения определяется η.
* Коэффициент передачи составляет η = R<sub>1</sub> / (R<sub>1</sub> + R<sub>2</sub>) для PUT; заменяя R<sub>B1</sub> и R<sub>B2</sub> соответственно для [[однопереходного транзистора]]. Напряжение переключения определяется η.
*Однопереходные транзисторы и программируемые однопереходные транзисторы применяются для генераторов, схем синхронизации и запуска тиристоров.
* [[Однопереходные транзисторы]] и [[программируемые однопереходные транзисторы]] применяются для [[генератор]]ов, схем синхронизации и запуска [[тиристор]]ов.


=См.также=
=См.также=


{{ads}}
 


=Внешние ссылки=
=Внешние ссылки=
Строка 104: Строка 104:
<references />
<references />


{{Навигационная таблица/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Портал/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Телепорт}}

Текущая версия от 21:45, 22 мая 2023

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Однопереходной транзистор[1]

Однопереходной транзистор

Хотя однопереходный транзистор не является тиристором, данное устройство может запускать более крупные тиристоры с помощью импульса на базе Б1. Однопереходный транзистор состоит из кремниевого стержня N-типа, имеющего посередине подключение Р-типа (см. рисунок 1.а). Соединения на концах стержня известны как базы Б1 и Б2; средняя точка P-типа – это эмиттер. Когда эмиттер отключён, полное сопротивление RББ0, указанное в таблице данных, представляет собой сумму сопротивлений RБ1 и RБ2 (показано на рисунке 1.б). RББ0 составляет от 4 до 12 кОм для различных типов устройств. Коэффициент передачи η – это отношение сопротивлений RБ1 к RББ0. Варьируется от 0,4 до 0,8 для разных устройств. Схемное обозначение показано на рисунке 1.в.

Рис. 1. Однопереходный транзистор: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.
Рис. 1. Однопереходный транзистор: (а) физическая структура, (б) эквивалентная схема, (в) схемное обознаечние.

График зависимости тока однопереходного эмиттера от напряжения (рисунок 2.а ниже) показывает, что по мере увеличения VЭ ток IЭ увеличивается до пикового IП. За пределами пиковой точки ток увеличивается по мере уменьшения напряжения в области отрицательного сопротивления. Напряжение достигает минимума в точке впадины. Сопротивление RБ1 (сопротивление насыщения) является самым низким в точке впадины.

IП и IВ – параметры из таблицы данных. Для модели 2n2647 IП и IВ равны 2 мкА и 4 мА соответственно. VП – падение напряжения на RБ1 плюс падение на диоде 0,7 В; см. рисунок 2.б ниже. VВ оценивается примерно в 10% от VББ.

Рис. 2. Однопереходный транзистор: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для VП.
Рис. 2. Однопереходный транзистор: (а) кривая эмиттерной характеристики, (б) модель для VП.

Релаксационный осциллятор представляет собой приложение однопереходного транзистора. RЭ заряжает CЭ до пиковой точки. Вывод однопереходного эмиттера не влияет на конденсатор, пока не будет достигнута эта точка. Когда напряжение на конденсаторе VЭ достигает точки пикового напряжения VП, пониженное сопротивление эмиттер/база1 RЭБ1 быстро разряжает конденсатор. Как только конденсатор разряжается ниже точки впадины VВ, сопротивление RЭБ1 снова становится высоким, и конденсатор снова может заряжаться.

Рис. 3. Схема релаксационного осциллятора на однопереходном транзисторе и волны сигналов. Генератор управляет SCR-тиристором.
Рис. 3. Схема релаксационного осциллятора на однопереходном транзисторе и волны сигналов. Генератор управляет SCR-тиристором.

Во время разрядки конденсатора через сопротивление насыщения RЭБ1 на внешних нагрузочных резисторах RБ1 и RБ2 можно наблюдать импульс, см. рисунок 3 выше. Нагрузочный резистор на RБ1 должен быть низким, чтобы не влиять на время разрядки. Внешний резистор на RБ2 не является обязательным. Его можно заменить коротким замыканием. Приблизительная частота равна 1/f = T = RC. Более точное выражение для частоты дано на рисунке 3 выше.

Зарядный резистор RЭ должен находиться в определённых пределах. Он должен быть достаточно мал, чтобы позволить IП течь за счёт VББ питания меньшего, чем VП. Он должен быть достаточно большим, чтобы поставлять IВ за счёт VББ питания меньшего, чем VВ. Пример уравнения для модели 2n2647:

Рис. 4. Расчёты для модели 2n2647.
Рис. 4. Расчёты для модели 2n2647.

Программируемый однопереходный транзистор (PUT)

Хотя однопереходный транзистор считается устаревшим (то есть экономически нецелесообразным, поскольку доступны более дешёвые варианты), а вот программируемый однопереходный транзистор (PUT, от англ. programmable unijunction transistor) живёт и здравствует, ибо недорог в производстве. Хотя он выполняет функцию, аналогичную однопереходному транзистору, PUT – это трёхконтактный тиристор. PUT имеет четырёхслойную структуру, типичную для тиристоров (см. рисунок 5 ниже). Обратите внимание, что затвор, слой N-типа рядом с анодом, известен как «анодный затвор». Кроме того, вывод затвора на схемном обозначении прикреплён к анодному концу символа.

Рис. 5. Программируемый однопереходный транзистор: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.
Рис. 5. Программируемый однопереходный транзистор: характеристическая кривая, внутренняя структура, схемное обозначение.

Характеристическая кривая для программируемого однопереходного транзистора на рисунке 5 выше аналогична кривой для однопереходного транзистора. Это график зависимости анодного тока IА от анодного напряжения VА. Напряжение на затворе определяет пик анодного напряжения VП. По мере увеличения анодного тока напряжение увеличивается до пиковой точки. После этого увеличение тока приводит к снижению напряжения до точки впадины.

Эквивалент PUT однопереходного транзистора показан на рисунке 6 ниже. Внешние резисторы PUT R1 и R2 заменяют внутренние резисторы RБ1 и RБ2 однопереходного транзистора соответственно. Эти резисторы позволяют рассчитать коэффициент передачи η.

Рис. 6. PUT-эквивалент однопереходного транзистора.
Рис. 6. PUT-эквивалент однопереходного транзистора.

На рисунке 7 ниже показана версия релаксационного генератора на однопереходном PUT. Резистор R заряжает конденсатор до пиковой точки, затем сильная проводимость перемещает рабочую точку вниз по спуску отрицательного сопротивления к точке впадины. Во время разрядки конденсатора через катод проходят токовые импульсы, вызывающие всплески напряжения на катодных резисторах. После разрядки конденсатора рабочая точка возвращается к спуску до пиковой точки.

Рис. 7. Релаксационный PUT-осциллятор.
Рис. 7. Релаксационный PUT-осциллятор.

Проблема: каков диапазон подходящих значений для R на рисунке выше в релаксационном осцилляторе? Зарядный резистор должен быть достаточно маленьким, чтобы обеспечивать достаточный ток, дабы поднять на аноде до точки пика VП при зарядке конденсатора. Как только достигается VП, анодное напряжение уменьшается по мере увеличения тока (отрицательное сопротивление), что перемещает рабочую точку в самое нижнее положение. Это работа конденсатора для снабжения тока впадины IВ. После того, как он разрядится, рабочая точка возвращается по восходящему наклону к пиковой точке. Резистор должен быть достаточно большим, чтобы никогда ток впадины IП не был слишком высоким. Если бы зарядный резистор когда-либо мог подавать такой большой ток, резистор подавал бы ток впадины после того, как конденсатор был разряжен, и рабочая точка никогда не вернулась бы к состоянию высокого сопротивления слева от пиковой точки.

Возьмём то же напряжение VББ = 10 В, что и для примера с однопереходным транзистором. Выбираем значения R1 и R2 так, чтобы η было около ⅔. Вычислим η и VS. Параллельным эквивалентом R1, R2 является RЗ, который только выберем из таблицы ниже. Наряду с VS = 10, ближайшим значением к нашим 6.3, мы находим VТ = 0, после чего вычисляем VП.

Рис. 8. Находим VП.
Рис. 8. Находим VП.

Мы также находим IП и IВ, пиковый и минимальный токи, соответственно, в таблице. Нам всё ещё нужно VВ, напряжение впадины. В предыдущем примере с однопереходным соединением мы использовали 10% от VББ = 1 В. Просматривая данные, мы находим прямое напряжение VПр. = 0,8 В при IПр. = 50 мА. Ток впадины IВ = 70 мкА намного меньше, чем IПр. = 50 мА. Следовательно, VВ должно быть меньше VПр. = 0,8 В. Но насколько меньше? На всякий случай устанавливаем VВ = 0 В. Это немного поднимет нижний предел диапазона резистора.

Рис. 9. Определяем диапазон сопротивления резистора.
Рис. 9. Определяем диапазон сопротивления резистора.

Выбор R > 143к гарантирует, что рабочая точка может сбрасываться из точки впадины после разрядки конденсатора. R < 755к позволяет заряжать до VП в пиковой точке. Выбранные параметры 2n6027 PUT, адаптированные из таблицы.

Параметр Условия Мин. Стандарт Макс. Ед. изм.
VT В
VS = 10 В, RЗ = 1 МОм 0,2 0,7 1,6
VS = 10 В, RЗ = 10 кОм 0,2 0,35 0,6
IП мкА
VS = 10 В, RЗ = 1 МОм - 1,25 2,0
VS = 10 В, RЗ = 10 кОм - 4,0 5,0
IВ мкА
VS = 10 В, RЗ = 1 МОм - 18 50
VS = 10 В, RЗ = 10 кОм 70 150 -
VS = 10 В, RЗ = 200 Ом 1500 - -
VПр. IПр. = 50 мА - 0,8 1,5 В

На рисунке ниже показан релаксационный генератор PUT с конечными значениями резисторов. Также показано практическое применение PUT, запускающего SCR. Для этой схемы требуется нефильтрованный источник питания VББ (не показан на схеме), отделённый от мостового выпрямителя для сброса релаксационного генератора после каждого перехода через нулевую точку для мощности. Переменный резистор должен иметь минимальный резистор, включённый последовательно с ним, чтобы предотвратить зависание низкой настройки потенциометра в точке впадины.

Рис. 10. Релаксационный осциллятор PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы на SCR-тиристоре.
Рис. 10. Релаксационный осциллятор PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы на SCR-тиристоре.

Считается, что схемы синхронизации PUT могут использоваться до 10 кГц. Если вместо экспоненциального изменения требуется линейное нарастание, замените зарядный резистор на источник постоянного тока, такой как диод постоянного тока на основе полевого транзистора. Альтернативный PUT может быть построен из кремниевого транзистора PNP и NPN путём исключения катодного затвора и использования анодного затвора.

Итог

См.также

Внешние ссылки

  1. ↑ www.allaboutcircuits.com - The Unijunction Transistor (UJT)
Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное
Теория по электронике
Постоянный ток
Основные концепты электричества • Статическое электричество • Проводники, диэлектрики и поток электронов • Что такое электрические цепи • Напряжение и электроток • Сопротивление • Напряжение и электроток в реальной цепи • Условный ток и поток электронов
Закон Ома • Закон Ома – Как напряжение, сила тока и сопротивление связаны друг с другом • Аналогия для закона Ома • Мощность в электрических цепях • Расчёт электрической мощности • Резисторы • Нелинейная проводимость • Построение цепи • Полярность перепада напряжения • Компьютерная симуляция электрических цепей
Правила электробезопасности • Важность правил электробезопасности • Воздействие электричества на психологическое состояние • Путь, который ток проходит перед ударом • Закон Ома (снова!) • Техника безопасности • Первая медицинская помощь при ударе током • Распространённые источники опасности • Проектирование электроцепей с учётом требований безопасности • Безопасное использование приборов для измерения электрических показателей • Данные о влиянии удара током на тело человека
Экспоненциальная запись и метрические приставки • Экспоненциальная запись • Арифметические операции для экспоненциальной записи • Метрические обозначения • Преобразование метрических приставок • Используем ручной калькулятор • Экспоненциальная форма в программе SPICE
Последовательные и параллельные электрические цепи • Что такое «последовательные» и «параллельные» электрические цепи • Простая последовательная цепь • Простая параллельная цепь • Электропроводность • Рассчитываем мощность • Правильно используем закон Ома • Анализ отказов компонентов цепи • Строим простые резистивные цепи
Схемы с делителями напряжения и правила Кирхгофа • Схемы с делителем напряжения • Правило напряжений Кирхгофа (ПНК) • Цепи – делители тока и формула делителя тока • Правило Кирхгофа для силы тока (ПКТ)
Комбинированные последовательно-параллельные схемы • Что такое последовательно-параллельная цепь • Методы анализа последовательно-параллельных резисторных цепей • Перерисовываем избыточно усложнённые схемы • Анализ отказов компонентов (продолжение) • Построение простых резисторных цепей
Измерения в электрических цепях постоянного тока • Что такое измеритель? • Как устроен вольтметр • Как вольтметр влияет на измеряемую цепь • Как устроен амперметр • Как амперметр влияет на измеряемую цепь • Как устроен омметр • Высоковольтный омметр • Мультиметры • Кельвиновское 4-проводное измерение сопротивления • Мостовые схемы • Как устроен ваттметр • Как самостоятельно сделать ручной калибратор
Сигналы электрического оборудования • Аналоговые и цифровые сигналы • Системы сигналов напряжения • Системы сигналов силы тока • Тахогенераторы • Теромопары • Измерения pH • Тензодатчики
Анализ сети постоянного тока • Что такое сетевой анализ? • Метод токов ветвей • Аналитический метод контурных токов • Метод узловых потенциалов • Введение в сетевые теоремы • Теорема Миллмана • Теорема о суперпозиции • Теорема Тевенена • Теорема Нортона • Эквивалентность схем Тевенена и Нортона • И вновь о теореме Миллмана • Теорема о передаче максимальной мощности • Δ-Y и Y-Δ преобразования
Батареи и системы питания • Поведение электронов при химических реакциях • Батарейные конструкции • Рейтинг батарей • Батареи специального назначения • Практические рекомендации при использовании батарей
Физика проводников и диэлектриков • Введение в физику проводников и диэлектриков • Размеры проводов• Допустимые токовые нагрузки на провода • Предохранители • Удельное сопротивление • Температурный коэффициент сопротивления • Сверхпроводимость • Пробивное напряжение диэлектрика
Конденсаторы • Электрическое поле и ёмкость • Конденсаторы и дифференциальное исчисление • Факторы, влияющие на ёмкость конденсатора • Последовательное и параллельное соединение конденсаторов • Практические соображения - Конденсаторы
Магнетизм и электромагнетизм • Постоянные магниты • Электромангетизм • Единицы измерения магнитных величин • Магнитная проницаемость и насыщение • Электромагнитная индукция • Взаимная индукция
Катушки индуктивности • Магнитные поля и индуктивность • Катушки индуктивности и дифференциальное исчисление • Факторы, влияющие на индуктивность • Катушки индуктивности в последовательных и параллельных соединениях • Практические соображения – Катушки индуктивности
Постоянные времени в RC и L/R цепях • Переходные процессы в электрических цепях • Переходные процессы в цепях с конденсатором • Переходные процессы в цепях с катушкой индуктивности • Расчёт напряжения и силы тока • Почему L/R, а не LR? • Комплексные расчёты напряжения и тока • Сложные схемы • Расчёт неизвестного времени
Переменный ток
Основы теории переменного тока • Что такое переменный ток? • Формы волн переменного тока • Измерение величин переменного тока • Расчёт простейшей цепи переменного тока • Фаза переменного тока • Принципы радио
Комплексные числа • Введение в комплексные числа • Векторы и волны переменного тока • Сложение простых векторов • Сложение сложных векторов • Полярная и алгебраическая запись комплексных чисел • Арифметика комплексных чисел • И ещё по поводу полярности переменного тока • Несколько примеров с цепями переменного тока
Реактанс и импеданс – Индуктивность • Резистор в цепи переменного тока (Индуктивность) • Катушка индуктивности в цепи переменного тока • Последовательные резистивно-индуктивные цепи • Параллельные резистивно-индуктивные цепи • Особенности катушек индуктивности • Что такое «скин-эффект»?
Реактанс и импеданс – Ёмкость • Резистор в цепи переменного тока (Ёмкость) • Конденсатор в цепи переменного тока • Последовательные резистивно-ёмкостные цепи • Параллельные резистивно-ёмкостные цепи • Особенности конденсаторов
Реактанс и импеданс – R/L/C-цепи • Обзор R, X и Z (сопротивление, реактанс и импеданс) • Последовательные R/L/C-цепи • Параллельные R/L/C-цепи • Последовательно-параллельные R/L/C-цепи • Реактивная проводимость и адмиттанс • R/L/C-цепи – что в итоге?
Резонанс • Электрический маятник • Простой параллельный резонанс (колебательный контур) • Простой последовательный резонанс • Применение резонанса • Резонанс в последовательно-параллельных цепях • Добротность и полоса пропускания резонансной цепи
Сигналы переменного тока смешанной частоты • Сигналы переменного тока смешанной частоты - Введение • Прямоугольные волновые сигналы • Другие волновые формы • Подробнее о спектральном анализе • Эффекты в электрических цепях
Фильтры • Что такое фильтр? • Низкочастотные фильтры • Высокочастотные фильтры • Полосовые фильтры • Полосно-заграждающие фильтры • Резонансные фильтры • Подводя итоги по фильтрам
Трансформаторы • Взаимная индуктивность и основные операции • Повышающие и понижающие трансформаторы • Электрическая изоляция • Фазировка • Конфигурации обмотки • Регулировка напряжения • Специальные трансформаторы и приложения • Практические соображения – Трансформаторы
Многофазные цепи переменного тока • Однофазные системы питания • Трёхфазные системы питания • Чередование фаз • Устройство многофазного двигателя • Трёхфазные Y- и дельта-конфигурации • Трёхфазные цепи с трансформатором • Гармоники в многофазных энергосистемах • Гармонические фазовые последовательности
Коэффициент мощности • Мощность в резистивных и реактивных цепях переменного тока • Истинная, реактивная и полная мощность • Расчёт коэффициента мощности • Практическая коррекция коэффициента мощности
Измерение цепей переменного тока • Вольтметры и амперметры переменного тока • Измерение частоты и фазы • Измерение мощности • Измерение качества электроэнергии • Мостовые схемы переменного тока • Измерительные преобразователи переменного тока
Двигатели переменного тока • Введение в двигатели переменного тока • Синхронные двигатели • Синхронный конденсатор • Двигатель с магнитным сопротивлением • Шаговые двигатели • Бесщёточный двигатель постоянного тока • Многофазные асинхронные двигатели Теслы • Асинхронные двигатели с фазным ротором • Однофазные асинхронные двигатели • Прочие специализированные двигатели • Сельсин-двигатели (синхронизированные двигатели) • Коллекторные двигатели переменного тока
Линии передачи • Кабель на 50 Ом? • Электрические цепи и скорость света • Характеристический импеданс • Линии передачи конечной длины • «Длинные» и «короткие» линии передачи • Стоячие волны и резонанс • Преобразование импеданса • Волноводы
Полупроводники
Усилители и активные устройства • От электрики к электронике • Активные и пассивные устройства • Усилители • Коэффициент усиления • Децибелы • Абсолютные дБ-шкалы • Аттенюаторы
Теория твердотельных приборов • Введение в теорию твердотельных устройств • Квантовая физика • Валентность и кристаллическая структура • Зонная теория твёрдых тел • Электроны и «дырки» • P-N-переход • Полупроводниковые диоды • Транзисторы с биполярным переходом • Полевые транзисторы • Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) • Тиристоры • Методы производства полупроводников • Сверхпроводящие устройства • Квантовые устройства • Полупроводниковые приборы в SPICE
Диоды и выпрямители • Диоды и выпрямители – Введение • Проверка диодов мультиметром • Номинальные характеристики диодов • Схемы выпрямителей • Пиковый детектор • Схемы ограничителей напряжения • Схемы фиксаторов уровня • Умножители напряжения (удвоители, утроители, учетверители и т.д.) • Схемы коммутации индуктивных нагрузок • Диодные схемы коммутации • Что такое диод Зенера (стабилитрон)? • Диоды специального назначения • Прочие диодные технологии • Модели диодов в SPICE
Биполярные транзисторы • Транзисторы с биполярным переходом (ТБП) – Введение • Транзистор с биполярным переходом (ТБП) как переключатель • Проверка транзистора с биполярным переходом (ТБП) с помощью мультиметра • Активный режим работы транзистора с биполярным переходом (ТБП) • Усилительный каскад с общим эмиттером • Усилительный каскад с общим коллектором • Усилительный каскад с общей базой • Каскодный усилитель • Методы смещения для транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Расчёт смещения для транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Взаимодействие входа и выхода в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Обратная связь в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Импеданс усилителя • Токовые зеркала в транзисторах с биполярным переходом (ТБП) • Параметры и корпуса транзисторов с биполярным переходом (ТБП) • Особенности транзисторов с биполярным переходом (ТБП)
Полевые транзисторы • Полевые транзисторы (JFET) – Введение • Полевой транзистор (JFET) как переключатель • Проверка полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра • Активный режим работы полевого транзистора (JFET)
Полевые транзисторы с изолированным затвором • Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение • Обедняющие полевые транзисторы с изолированным затвором • Биполярные транзисторы с изолированным затвором
Тиристоры • Гистерезис • Газоразрядные лампы • Диод Шокли (динистор) • DIAC (симметричный динистор) • Управляемый кремниевый выпрямитель (SCR-тиристор) • TRIAC (симметричный тринистор, триак) • Оптотиристоры • Однопереходной транзистор • Управляемый кремниевый коммутатор (SCS-тиристор) • Тиристоры с полевым управлением
Операционные усилители • Операционные усилители (ОУ) – Введение • Несимметричные и дифференциальные усилители • «Операционный» усилитель • Отрицательная обратная связь • Делитель напряжения в цепи обратной связи • Аналогия для делителя напряжения в цепи обратной связи • Преобразование сигнала напряжения в сигнал тока • Схемы усреднителя и сумматора • Построение дифференциальных усилителей • Инструментальный (измерительный) усилитель • Схемы дифференциатора и интегратора • Положительная обратная связь • Практические аспекты ОУ • Модели операционных усилителей
Практические аналоговые полупроводниковые схемы • Электростатический разряд • Схемы источников питания • Схемы усилителей • Осцилляторные схемы • Радиосхемы • Вычислительные схемы • Измерительные схемы
Приводы двигателей постоянного тока • Широтно-импульсная модуляция
Электронные лампы • Электронные лампы – Введение • История электронных ламп – с чего всё началось • Триод • Тетрод • Силовой лучевой тетрод • Пентод • Комбинированные электронные лампы • Характеристики электронных ламп • Ионизированные (газовые) электронные лампы • Индикаторные электронные лампы • Микроволновые электронные лампы • Сравниваем электронные лампы и полупроводники
Цифровая электроника
Системы счисления • Числа и способы их выражения • Системы счисления • Сравниваем десятеричные и двоичные числа • Восьмеричная и шестнадцатеричная системы счисления • Восьмеричные и шестнадцатеричные числа преобразовываем в десятеричные • Преобразование из десятеричной системы счисления
Двоичная арифметика • Числа и системы счисления • Двоичное сложение • Отрицательные двоичные числа • Двоичное вычитание • Двоичное переполнение • Наборы битов
Логические вентили • Цифровые сигналы и вентили • Вентили «НЕ» • «Буферные» вентили • Вентили с более чем одним входом • Транзисторно-транзисторная логика вентилей «И-НЕ» и «И» • Транзисторно-транзисторная логика вентилей «ИЛИ-НЕ» и «ИЛИ» • Схемы КМОП-вентилей • Специальные выходы в вентилях • Универсальность вентилей «И-НЕ» и «ИЛИ-НЕ» • Уровни напряжения для «высоких» и «низких» логических сигналов • Вентильные DIP корпусы
Переключатели • Типы переключателей • Как устроены контакты переключателей • «Нормальное» состояние контакта и последовательное замыкание/размыкание • «Дребезжание» контактов
Электромеханические реле • Устройство реле • Контакторы • Реле с задержкой времени • Защитные реле • Твердотельные реле
Релейная логика • «Лестничные» диаграммы • Функции цифровой логики • Разрешающие и блокирующие схемы • Схемы управления двигателем • Отказоустойчивость • Программируемые логические контроллеры (ПЛК)
Булева алгебра • Булева алгебра – Введение • Логическая арифметика • Булевы алгебраические тождества • Булевы алгебраические свойства • Логические правила для упрощения • Примеры упрощения схем • Функция «Исключающее ИЛИ»: вентиль XOR • Законы де Моргана • Преобразование таблиц истинности в логические выражения
Карты Карно • Карты Карно – Введение • Диаграммы Венна и множества • Булевы соотношения на диаграммах Венна • Преобразование диаграмм Венна в карты Карно • Карты Карно, таблицы истинности и логические выражения • Упрощение логики с помощью карт Карно • Бо́льшие карты Карно с 4-мя переменными • Минтермы и макстермы в реализациях • Обозначения сумм и произведений • Поля «безразличия» на картах Карно • Бо́льшие карты Карно с 5-ю и 6-ю переменными
Функции комбинационной логики • Функции комбинационной логики – Введение • Неполный сумматор • Полный сумматор • Декодер • Кодер • Демультиплексоры • Мультиплексоры • Совместное использование множественных комбинационных схем
Мультивибраторы • Цифровая логика с обратной связью • SR-защёлка • Вентильная SR-защёлка • D-защёлка • Защёлки с запуском по фронту сигнала: триггеры • JK-триггер • Триггеры с асинхронными входами • Моностабильные мультивибраторы
Схемы последовательностей • Двоичная счётная последовательность • Асинхронные счётчики • Синхронные счётчики • Конечные автоматы
Сдвиговые регистры • Сдвиговые регистры – Введение • Сдвиговые регистры: последовательный вход, последовательный выход (SISO) • Сдвиговые регистры: параллельный вход, последовательный выход (PISO) • Сдвиговые регистры: последовательный вход, параллельный выход (SIPO) • Универсальные сдвиговые регистры: параллельный вход, параллельный выход (PIPO) • Кольцевые счётчики
Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразования • Цифро-аналоговые (ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преобразования – Введение • ЦАП R/2nR: цифро-аналоговый преобразователь с двоично-взвешенным входом • ЦАП R/2R: (цифро-аналоговый преобразователь) • Параллельные АЦП • Цифровые ступенчатые АЦП • АЦП с последовательным приближением • Отслеживающий АЦП • Скатные (интегрирующие) АЦП • Дельта-сигма АЦП • Практические аспекты схем АЦП
Цифровая связь • Цифровая связь – Введение • Сети и шины • Потоки данных • Типы электрических сигналов • Оптическая передача данных • Топология сети • Сетевые протоколы • Практические аспекты цифровой связи
Цифровое хранилище (память) • Почему «цифровое»? • Понятия и концепции цифровой памяти • Современная немеханическая память • Устаревшие немеханические технологии памяти • Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) • Память с движущимися частями: «Приводы»
Принципы цифровых вычислений • Двоичный сумматор • Таблицы поиска • Конечные автоматы • Микропроцессоры • Микропроцессорное программирование
Справочные материалы
Полезные уравнения и коэффициенты пересчёта • Уравнения и законы для цепей постоянного тока • Правила последовательных цепей • Правила параллельных цепей • Эквивалентные значения компонентов в последовательных и параллельных цепях • Уравнение ёмкости конденсатора • Уравнение катушки индуктивности • Уравнения постоянной времени • Уравнения цепей переменного тока • Уравнения для децибел • Метрические приставки и преобразования единиц измерения
Цветовая маркировка • Цветовая маркировка резисторов • Цветовая маркировка проводки • Инфографика цветовой маркировки проводки
Таблицы проводников и диэлектриков • Таблица калибров медной проволоки • Таблица допустимых нагрузок для медного провода • Коэффициенты удельного сопротивления • Таблица температурных коэффициентов сопротивления • Критические температуры для сверхпроводников • Диэлектрическая прочность изоляторов
Справочник по алгебре • Основные алгебраические тождества • Основные свойства арифметики • Свойства степеней • Извлечение корней • Важные константы • Логарифмы • Формулы сокращённого умножения • Квадратное уравнение • Прогрессии • Факториалы • Решение систем уравнений: метод подстановки и метод сложения
Справочник по тригонометрии • Тригонометрия прямоугольного треугольника • Тригонометрия произвольного треугольника • Тригонометрические формулы • Гиперболические функции
Справочник по исчислению • Формулы вычисления пределов • Производная числа • Общие производные • Производные показательных функций с основанием e • Производные простых тригонометрических функций • Правила вычисления производных • Первообразная (неопределённый интеграл) • Общие первообразные • Первообразные показательных функций от числа e • Правила вычисления первообразных • Определённые интегралы и основная теорема исчисления • Дифференциальные уравнения
Использование программы SPICE для моделирования электрических схем • Программа моделирования электрических цепей SPICE — Введение • История программы SPICE • Основы программирования в SPICE • Интерфейс командной строки • Компоненты электрических схем • Опции для проведения анализа • Странные особенности программы SPICE • Примеры электрических цепей и списков связей
Устранение неполадок – теория и практика • Вопросы, которые следует задать, прежде чем продолжить • Общие советы по устранению неполадок • Конкретные методы устранения неполадок • Вероятные сбои в проверенных системах • Вероятные сбои в непроверенных системах • Возможные ментальные ловушки
Схематические обозначения элементов цепи • Провода и соединения • Источники питания • Типы резисторов • Типы конденсаторов • Катушки индуктивности • Взаимные катушки индуктивности • Переключатели с ручным управлением • Управляемые процессом переключатели • Переключатели с электрическим приводом (реле) • Соединители • Диоды • Биполярные транзисторы • Переходные транзисторы с полевым эффектом (JFET) • Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET) • Гибридные транзисторы • Тиристоры • Интегральные схемы • Электронные лампы
Периодическая таблица химических элементов • Таблица Менделеева
Эксперименты
Введение • Электроника как точная наука • Обустраиваем домашнюю лабораторию
Основные концепции и испытательное оборудование • Использование вольтметра • Использование омметра • Очень простая схема • Использование амперметра при измерении силы тока • Закон Ома • Нелинейное сопротивление • Рассеяние мощности • Цепь с переключателем • Эксперимент по электромагнетизму • Эксперимент с электромагнитной индукцией
Электрические цепи постоянного тока • Электрические цепи постоянного тока – Введение • Последовательные источники питания • Параллельные источники питания • Делитель напряжения • Делитель тока • Потенциометр как делитель напряжения • Потенциометр как реостат • Прецизионный потенциометр • Ограничение диапазона реостата • Термоэлектричество • Мультиметр своими руками • Чувствительный детектор напряжения • Потенциометрический вольтметр • 4-проводное измерение сопротивления • Простейший компьютер • Картошка-батарейка • Зарядка и разрядка конденсатора • Индикатор скорости изменения
Электрические цепи переменного тока • Электрические цепи переменного тока – Введение • Трансформатор – блок питания • Сборка трансформатора • Переменный индуктор • Чувствительный аудиодетектор • Обнаружение магнитных полей переменного тока • Обнаружение электрических полей переменного тока • Альтернатор – автомобильный генератор • Асинхронный двигатель • Асинхронный двигатель побольше • Фазовый сдвиг • Погашение звука • Музыкальный синтезатор как генератор сигналов • ПК-осциллограф • Анализ волновых сигналов • Колебательный контур • Сигнальная связь
Дискретные полупроводниковые схемы • Дискретные полупроводниковые схемы – Введение • Коммутирующий диод • Полупериодный выпрямитель • Двухполупериодный мостовой выпрямитель • Двухполупериодный выпрямитель с центральным отводом • Цепь «выпрямитель/фильтр» • Регулятор напряжения • Транзистор как переключатель • Датчик статического электричества • Датчик импульсного света • Повторитель напряжения • Усилитель с общим эмиттером • Многокаскадный усилитель • Как построить схему токового зеркала • JFET – регулятор тока • Дифференциальный усилитель • Простой операционный усилитель • Аудио осциллограф • Ламповый аудио усилитель
Аналоговые интегральные схемы • Аналоговые интегральные схемы – Введение • Компаратор напряжения • Прецизионный повторитель напряжения • Неинвертирующий усилитель • Высокоимпедансный вольтметр • Интегратор • Аудио осциллограф на таймерной схеме 555 • Наклонный генератор на таймерной схеме 555 • ШИМ-контроллер мощности • Аудиоусилитель класса B
Цифровые интегральные схемы • Цифровые интегральные схемы – Введение • Основная функция вентилей • SR-защёлка на основе вентилей «ИЛИ-НЕ» • SR-защёлка на основе вентиля «И-НЕ» с входом разрешения • SR-триггер на основе вентиля «И-НЕ» • Светодиодный секвенсор • Простейший кодовый замок • 3-битный двоичный счётчик • 7-сегментный дисплей
Таймерные схемы 555 • Интегральный таймер 555 • Триггер Шмитта на интегральном таймере 555 • Гистерезисный осциллограф на интегральном таймере 555 • Моностабильный мультивибратор на интегральном таймере 555 • Минимальное количество комплектующих для КМОП-схемы 555 проблескового прибора длительного действия на красных светодиодах • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на синих светодиодах • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на светодиодах обратного хода • КМОП-схема 555 проблескового прибора длительного действия на красных светодиодах

Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Электроника:Полупроводники/Тиристоры/Однопереходной_транзистор&oldid=7737569