Русская Википедия:Научно-исследовательский институт электронной техники
Шаблон:Карточка компании Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») — советский и российский институт, созданный 9 мая 1961 года как «Центральное конструкторское бюро» согласно Приказу по организации п/я 111 №204 и в соответствии с Постановлением Воронежского Совета Народного хозяйства.
Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники специального и гражданского назначения: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона.
C 2014 года АО «НИИЭТ» входит в структуру Объединённой приборостроительной госкорпорации Ростех.[1]
В начале 2019 года АФК «Система» и Ростех завершили создание совместного предприятия в области микроэлектроники. Согласно соглашению 100% акций АО «НИИЭТ» были переданы вновь созданной организации ГК «Элемент».[2]
В 2022 году институт был включен в санкционные списки США на фоне вторжения России на Украину[3] так как компоненты АО “НИИЭТ” используются в российских системах вооружения[4].
История
В 1961 году при «Воронежском заводе полупроводниковых приборов» («ВЗПП») было учреждено Центральное конструкторское бюро.
Основной задачей предприятия в первые годы становления было создание и освоение серийного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) на основе германия и кремния — сначала на базе изделий, разрабатываемых московским НИИ «Пульсар», а затем самостоятельно. Параллельно с этим проводились разработки нестандартного технологического оборудования для оснащения строящихся цехов и участков «ВЗПП».
В 1962 г. перед «ЦКБ при ВЗПП» была поставлена цель по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению наиболее массовых диодов Д226. Запуск комплексно-механизированной линии в производство обеспечил выпуск до 10 миллионов диодов Д226 в год.
В период 1963–1964 гг. с участием специалистов «ЦКБ на ВЗПП» было освоено серийное производство германиевых мощных транзисторов П213–П217, П602–П603, кремниевых транзисторов средней мощности П307–П309 и мощных транзисторов П702, 2Т903.
В 1965 году на предприятии были разработаны первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики.[5]
- В 1964 году в ЦКБ при ВЗПП началась активная работа по созданию отечественной интегральной микросхемы. В отделе, занимающимся разработкой планарных транзисторов, была создана группа перспективной (критической) технологии во главе с Никишиным В. И. Целью работы этой группы было создание элементов твердых схем: диодов, транзисторов, резисторов.
- разработка и производство интегральных микросхем (в т.ч. устойчивых к воздействию спецфакторов);
- разработка и производство ВЧ и СВЧ-транзисторов, модулей усиления мощности СВЧ-диапазона;
- испытание, измерение и сертифицирование отечественных и импортных электронных компонентов.
- 8,16,32- разрядные микроконтроллеры;
- 16,32- разрядные процессоры цифровой обработки сигналов;
- цифро-аналоговые преобразователи;
- аналого-цифровые преобразователи;
- интерфейсные интегральные микросхемы;
- ВЧ и СВЧ-транзисторы диапазона частот 0-12000 МГц с выходной мощностью от 0,5 до 800 Вт непрерывного и импульсного режимов работы;
- модули СВЧ-усилителей мощности с выходной мощностью от 5 до 2000 Вт.
- Биполярные транзисторы (Bipolar);
- Полевые транзисторы (FET, MOSFET);
- Полевые транзисторы с распределенным затвором (LDMOS);
- Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN).
- Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Чернозёмного края, 2013.
- Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11.
- Официальный сайт
- Официальный YouTube канал АО «НИИЭТ»
- Первая отечественная серия ДТЛ-логики, выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на основе кремния, с диэлектрической изоляцией элементов (тема «Титан»)
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ АФК "Система" и Ростех завершили создание СП в области микроэлектроники//Интерфакс. Экономика, 2019 Шаблон:Wayback
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ 5,0 5,1 Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Чернозёмного края, 2013
- ↑ Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11.Шаблон:Недоступная ссылка
- ↑ Расширяемое «Созвездие». Концерну передают новые активы // Коммерсант.ru Шаблон:Wayback
- ↑ В составе Концерна «Созвездие» теперь работают 20 предприятий // sozvezdie.su Шаблон:Wayback
- ↑ Ростех запустил производство нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G, квадрокоптеров и новых РЛС // http://integral-russia.ru Шаблон:Wayback
В короткие сроки к декабрю 1965 года ученые разработали и получили опытные образцы полупроводниковых интегральных схем «Титан». В 1966 году образцы были переданы на завод в серийное производство. Таким образом, в Воронеже были созданы первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики по твердотельной технологии с диэлектрической изоляцией компонентов серии 104[6]. Шаблон:Конец цитаты В 1968 г. разработчиками «ЦКБ при ВЗПП» (В.Д. Скороходовым, А.И. Стояновым, С.А. Ереминым) были созданы и внедрены в производство первые ИС ОЗУ емкостью 16 бит по МОП-технологии. Впоследствии на базе МОП-технологии было реализовано целое поколение р-канальных, n-канальных и КМОП интегральных и больших интегральных схем (БИС). В декабре 1969 года «ЦКБ при ВЗПП» вошло в состав НПО «Электроника». В период 1967–1973 гг. было выполнено около 20 НИР и ОКР по созданию и внедрению в производство быстродействующих и маломощных ИС малой и средней степени интеграции серий 106, 134, 128, 149, 177, – схем транзисторно-транзисторной логики, динамических логических схем, линейных схем и т.д. В 70-е годы на предприятии были выполнены разработки цифровых ИС серий 531, 530, в 80-е — биполярных БИС серии 1804 на основе инжекционной логики. В 1983 году ЦКБ стало самостоятельным предприятием: его переименовали в «Научно-исследовательский институт электронной техники»[5].
В 1986 г. «НИИЭТ» приказом по Министерству электронной промышленности был определен головным предприятием отрасли по созданию цифровых процессоров обработки сигналов (DSP) для специальной техники.
В 1987 году в «НИИЭТ» была введена первая в стране линейка по производству кристаллов интегральных схем с топологическими нормами 2,0 мкм в чистых помещениях класса 10 площадью 1200 кв.м. (так называемый «финский» модуль).
В 1994 году «НИИЭТ» был переименован в Государственное предприятие «НИИЭТ» (ГП «НИИЭТ»). В 2002 году — в Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИЭТ» (ФГУП «НИИЭТ»).
Начиная с 2003 года «НИИЭТ» приступил к разработке, а с 2005 года организовал производство современных мощных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов по DMOS и LDMOS технологиям. При этом был достигнут максимальный уровень выходной мощности в непрерывном режиме в КВ-диапазоне — 600 Вт (транзистор 2П986АС); в МВ-диапазоне — 300 Вт (транзистор 2П979В); в ДМВ-диапазоне — 150 Вт (транзистор 2П980БС).
В октябре 2012 года институт был преобразован в ОАО «НИИЭТ».
В конце 2012 года предприятие вошло в интегрированную структуру Концерна «Созвездие», передав предприятию 99,99 % своих акций в уставном капитале.[7][8]
В 2014 году ОАО «НИИЭТ» вошло в состав холдинга АО «Объединенная приборостроительная корпорация» (АО «ОПК») ГК «Ростех», объединившего научные и производственные предприятия радиоэлектронной промышленности России.
В августе 2016 года компания была переименована в АО «НИИЭТ».
В 2017 году АО «НИИЭТ» вошло в контур дивизиона ЭКБ и СВЧ радиоэлектроника АО «ОПК» ГК «Ростех». В том же году на предприятии было запущено производство нитрид-галлиевых транзисторов (GaN-транзисторов) для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации.[9]
В 2019 году по соглашению АФК «Система» и Ростех АО «НИИЭТ» перешел из Концерна «Созвездие» во вновь созданное совместное предприятие ООО «Элемент».
Основные виды деятельности
Продукция
За период своего существования институтом было создано более 250 типономиналов изделий.
Максимальная производственная мощность: около 300 000 единиц изделий в год.
Виды продукции
Сводные характеристики производимых изделий
1. Микроконтроллеры (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 8,16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 8 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: MCS 51 (Intel), ARM (ARM Limited), AVR-RISC (Atmel), MCS-96, С-166/167, RISC (32 бит), CISC+RISC MCS-96 (32 бит) и др.
2. Процессоры цифровой обработки сигналов (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 12 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: С-25(16 бит), С-50(16 бит), С-54(16 бит), F-240(16 бит), C-30(32 бит), C-40(32 бит), Sparc LEON(32 бит).
3. Аналого-цифровые преобразователи: 16- разрядные.
4. Цифро-аналоговые преобразователи (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): 8-24- разрядные.
5. ВЧ и СВЧ-транзисторы
Диапазон частот: от 0 до 12 ГГц;
Выходная мощность 0,5-1000Вт.
Типы:
6. СВЧ-модули
Диапазон частот: от 0,15 до 3,1 ГГц;
Выходная мощность: от 0,5 от 2000Вт.
См. также
Примечания
Литература
Ссылки
- Русская Википедия
- Страницы с неработающими файловыми ссылками
- Предприятия Воронежа
- Предприятия электротехнической промышленности СССР
- Предприятия электротехнической промышленности России
- Росэлектроника
- Компании, подвергнутые санкциям в связи с вторжением России на Украину
- Страницы, где используется шаблон "Навигационная таблица/Телепорт"
- Страницы с телепортом
- Википедия
- Статья из Википедии
- Статья из Русской Википедии