Русская Википедия:Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Файл:PlasmaCVD-ru.svg
Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы

Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы сокр., ПХО; ПХГФО иначе плазмохимическое газофазное осаждение; осаждение из паровой фазы стимулированное плазмой (Шаблон:Lang-en) — процесс химического осаждения тонких плёнок из паровой фазы при низком давлении с использованием высокочастотной плазмы[1].

Описание

Технология плазмохимического осаждения использует газоразрядную плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Применение различных приёмов возбуждения плазмы в реакционном объёме и управление её параметрами позволяет:

- интенсифицировать процессы роста покрытий;

- проводить осаждение аморфных и поликристаллических плёнок при значительно более низких температурах подложки;

- более качественно управлять процессами формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия по сравнению с аналогичными процессами при химическом осаждении из газовой фазы (CVD), основанными на термическом разложении реакционного газа[1].

Этим методом успешно получают алмазоподобные покрытия.

См. также

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

  • Шаблон:Книга
  • НТЦ Нанотехнология, 2006. — www.nano.org.ua
  • Передовые плазменные технологии // Intech, 2008. — www.plasmasystem.ru