Русская Википедия:Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы, ПП — широкий класс электронных приборов, изготавливаемых из полупроводников.
Номенклатура
К полупроводниковым приборам относятся:
- Интегральные схемы (микросхемы)
- Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны, диоды Шоттки),
- Тиристоры, фототиристоры,
- Транзисторы,
- Приборы с зарядовой связью,
- Полупроводниковые СВЧ-приборы (диоды Ганна, лавинно-пролётные диоды),
- Оптоэлектронные приборы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы, детекторы ядерных излучений, светодиоды, полупроводниковые лазеры, электролюминесцентные излучатели),
- Терморезисторы, датчики Холла.
История
- в СССР
Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводились в СССР ещё в 1920-х — 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёный О. В. Лосев создал полупроводниковый детектор-усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство — кристадин[1].
Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813[2]. Шаблон:Также
- в России
Холдинг «Росэлектроника» объединяет предприятия-производители электронной продукции.
Производство
- Контрактный производитель электроники (см. Контрактный производитель, OEM). Крупнейшие (на 2018) контрактные производители полупроводниковых микросхем: TSMC (доля рынка 55,9 %), GlobalFoundries — 9,4 %, UMC (United Microelectronics Corporation) — 8,5 %.
- Микросхемы
- см. Производство микросхем
При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.
Примечания
Литература
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. 2-е изд. М., Мир, 1984.
- М. С. Шур. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. М., Мир, 1992.
- Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Физматлит, 2008.
- Шаблон:Книга
- Шинкаренко В. Г. Полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2011 .— 172 с. — Библиогр.: с. 169—172. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0376-2.
- Шинкаренко В. Г. Электрические свойства полупроводников и полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2016 .— 294 с. + pdf-версия. — Библиогр.: с. 283—284. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0601-5. Полный текст (доступ из сети МФТИ).
Ссылки
Шаблон:Полупроводниковые приборы
- ↑ В. И. Стафеев. Начальные этапы становления полупроводниковой электроники в СССР (К 60-летию открытия транзистора) Шаблон:Wayback // 15.09.2009
- ↑ Шаблон:Cite web
