Русская Википедия:Принц, Виктор Яковлевич

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:ФИО Шаблон:Учёный

Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область[1] — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область[2]) — советский и российский Шаблон:Физик, доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019)[3][4]. Специалист в области полупроводников и нанотехнологий. Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур[3]. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур[5], состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков[6] и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами[3][7].

Биография

Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавда, Свердловская область[1].

В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика»[8]. С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, старшего научного сотрудникаШаблон:Sfn. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко[9]. В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов[10][11].

С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктурШаблон:Sfn. В начале 90-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них[10]. Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило название Принц-технологии в русскоязычной литературе[10]Шаблон:Sfn[6][12]. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур»[9][13] (официальные оппоненты В. Н. Брудный, Н. Ф. Морозов, А. В. Окотруб).

Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группы ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭШаблон:Sfn. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing. Член редколлегии научного журнала ISRN NanotechnologyШаблон:Sfn.

Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий[3] (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов[14]). По состоянию на январь 2021 года имел более 2600 цитирований (Web of Science) своих работ[15]. Индекс Хирша (2021) — 22[16].

Умер 24 июня 2021 года[2] от COVID-19[17]. Похоронен на Южном кладбище Новосибирска[18].

Научный вклад

Шаблон:Main Тройные растворы полупроводников с составом типа AxC1-xB (например, In0,25Ga0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников AIIIBV (например, GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения. Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкойШаблон:Sfn. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя Шаблон:Комм, состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. В. Я. Принц предложилШаблон:Sfn использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкойШаблон:Sfn. Этот метод получил название Принц-технология. Если удалить жертвенный слой (AlAs) посредством селективного травления, релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка <math>D\approx da/\Delta a\,,</math> где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнкиШаблон:Sfn. Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга ориентируя узкие полоски бислоёв на подложках можно создавать спирали и кольцаШаблон:Sfn. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе GexSi1-x псевдоморфных плёнокШаблон:SfnШаблон:Sfn.

В лаборатории В. Я. Принца изучался диоксид ванадия, который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO2 около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл[19].

Статьи

Основные статьи
Статьи на русском языке
Диссертации

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

Ссылки

Шаблон:Кандидат в добротные статьи

Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное

  1. ↑ 1,0 1,1 Шаблон:Cite web
  2. ↑ 2,0 2,1 Шаблон:Cite web
  3. ↑ 3,0 3,1 3,2 3,3 Шаблон:Cite web
  4. ↑ Шаблон:Cite web
  5. ↑ Шаблон:Статья
  6. ↑ 6,0 6,1 Шаблон:Cite web
  7. ↑ Шаблон:Cite web
  8. ↑ Шаблон:Cite web
  9. ↑ 9,0 9,1 Шаблон:Cite web
  10. ↑ 10,0 10,1 10,2 Шаблон:Cite web
  11. ↑ Шаблон:Cite web
  12. ↑ Шаблон:Статья
  13. ↑ Шаблон:Cite web
  14. ↑ Шаблон:Статья
  15. ↑ Шаблон:Cite web
  16. ↑ Шаблон:Cite web
  17. ↑ Шаблон:Cite web
  18. ↑ Шаблон:Cite web
  19. ↑ Шаблон:Статья
Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Русская_Википедия:Принц,_Виктор_Яковлевич&oldid=10646864