Русская Википедия:Са Чжитан
Шаблон:Восточноазиатское имя Шаблон:УчёныйСа Чжита́н (Шаблон:Lang-en, Шаблон:Китайский, р. 10 ноября 1932) — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.[1]
Обрел популярность в физике и технике известной моделью Са при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году.[2][3] Суть модели Са заключается в упрощении рассмотрения режима «сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов». В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 70-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.
Список наград
- 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
- 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
- 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
- 2000 — Избран в Китайскую Академию Наук
- 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
- 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
- 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
- 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
- 1995 — IEEE Life Fellow
- 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
- В 1989 — IEEE Jack Morton Award
- 1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров
- 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
- 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
- 1971 — Член Американского Физического Товарищества
- 1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE)
- 1000 world’s Most Cited Scientists, 1865—1978, Институт научной информации
Литература
Примечания
Патенты
- 3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965
- 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
- 3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969
- Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
- 4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982
- ↑ www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html Шаблон:Webarchive
- ↑ C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
- ↑ «Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.
- Русская Википедия
- Физики США
- Физики Китая
- Преподаватели Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне
- Выпускники Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне
- Выпускники Инженерного колледжа Иллинойсского университета в Урбане-Шампейне
- Страницы, где используется шаблон "Навигационная таблица/Телепорт"
- Страницы с телепортом
- Википедия
- Статья из Википедии
- Статья из Русской Википедии