Файл:Ferroelectric polarisation.svgЗависимость поляризации <math>P</math> от напряжённости электрического поля <math>E</math> в сегнетоэлектрике.
Сегнетоэлектрический гистерезис — неоднозначная зависимость поляризации <math>P</math> сегнетоэлектриков от приложенного внешнего электрического поля <math>E</math> при его циклическом изменении. Ниже точки Кюри сегнетоэлектрические кристаллы обладают спонтанной (самопроизвольной, то есть возникающей в отсутствие внешнего электрического поля) электрической поляризацией <math>P_c</math>. При этом направление поляризации в отличие от пироэлектриков можно изменить прикладывая внешнее электрическое поле противоположного направления. Тогда зависимость <math>P</math> (<math>E</math>) в полярной фазе (при наличии спонтанной поляризации) неоднозначна, и значение <math>P</math> при данном <math>E</math> зависит от предыстории, а именно от того, каким было электрическое поле в предшествующие моменты времени. Для характеризации сегнетоэлектрического гистерезиса в диэлектриках используют следующие параметры:
остаточная поляризованность кристалла <math>P_r</math>, при <math>E = 0</math>
значение поля <math>E_{K}</math> (коэрцитивное поле) при котором происходит переполяризация.
Для чистых монокристаллов петля гистерезиса имеет прямоугольную форму[1].
В объёмных поликристаллах или монокристаллов макроскопической поляризации не наблюдается в отсутствии механических напряжений и внешних полей, благодаря доменной структуре. Внутри одного домена поляризация направлена в одном направлении, а в соседнем поляризация направлена в противоположном направлении, что уменьшает полную энергию материала. Таким образом для создания макроскопической поляризации необходимо переориентировать домены в объёме, что отражено на рисунке где поляризация начинается из начала координатШаблон:Sfn.
