Традиционно ячейка памяти определяется, как наименьшая часть памяти имеющая свой адрес. При таком определении троичная ячейка памяти может иметь несколько троичных разрядов в зависимости от системы адресации памяти троичной ЭВМ (компьютера).
По элементной основе троичные ячейки памяти могут быть построены
на триггерах, подобно двоичной SRAM, высокое быстродействие, но дорого из-за большего числа транзисторов на ячейку;
на конденсаторе с транзистором, подобно двоичной DRAM. Ёмкость в 1,58 раз больше, но в 1,5 раза ниже быстродействие и в 1,5 раза ниже помехоустойчивость.
В них три потенциала разных уровней (положительный, нулевой, отрицательный) соответствуют трём устойчивым состояниям ячейки
Двухуровневые
В них элементарным устройством является двухуровневый инвертор с двумя потенциалами (высокий, низкий), а троичность работы достигается цепями обратных связей между тремя двухуровневыми инверторами. Такая ячейка памяти называется троичный двухуровневый триггер.
Троичная DRAM построена, подобно двоичной DRAM, на элементе с одним конденсатором и одним аналоговым ключом, работающим и с положительными и с отрицательными сигналами, но с биполярным зарядом конденсатора. Положительный заряд соответствует одному из трёх состояний, отрицательный второму, а «0» — третьему состоянию. В схемах считывания-регенерации вместо одного компаратора, который делит весь диапазон амплитуд на две части, два компаратора, которые делят весь диапазон амплитуд на три части. Схемы записи при этом подают на ячейки и положительное и отрицательное напряжение.
Элемент такой троичной ячейки DRAM показан на рисунке справа.
При одинаковом числе конденсаторов ёмкость троичной трёхуровневой DRAM увеличивается в 1,58 раз.
При этом трёхуровневая DRAM, по сравнению с двухуровневой DRAM имеет в 1,5 раза меньшее быстродействие.
При одинаковом размахе напряжений трёхуровневая DRAM имеет меньшую помехоустойчивость.
Для достижения одинаковой с двухуровневой DRAM помехоустойчивости нужно увеличить размах напряжений, что потребует увеличение максимального допустимого напряжения почти всех элементов микросхемы DRAM.
Все эти свойства определяют область её применения: в 1,5 раза более медленные, с в 1,5 раза меньшей помехоустойчивостью, DRAM с в 1,58 раз большей ёмкостью[2].
