Русская Википедия:Тучкевич, Владимир Максимович

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:Учёный

Влади́мир Макси́мович Тучке́вич (1904—1997) — советский физик. Академик АН СССР и РАН. Герой Социалистического Труда. Лауреат Ленинской премии и Сталинской премии первой степени.

Биография

Родился 16 (29 декабря) 1904 года в селе Яновцы (Яноуцы) (ныне — Ивановцы, Шаблон:МР, Черновицкая область, Украина), в семье Максима Антоновича Тучкевича. Учился в реальном училище в Хотине, затем в школе в городе Уфе.

В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.

В том же году поступил на физико-математический факультет КГУ имени Т. Г. Шевченко. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931— 1935 годах работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.

С 1935 года жил в Ленинграде, где работал в Ленинградском физико-техническом институте АН СССР (ЛФТИ). Был научным сотрудником, старшим научным сотрудником, учёным секретарём и заведующим лабораторией. В этом же году продолжил преподавательскую деятельность в ЛПИ им. М. И. Калинина, сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы Тучкевича были связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.

В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях. Сотрудничал с И. В. Курчатовым, Б. Е. Годзевичем, Г. Я. Щепкиным и с другими знаменитыми учёными.

В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжёлых элементов. С 1949 года в ЛФТИ возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.

В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В лаборатории Тучкевича младшим научным сотрудником работал будущий лауреат Нобелевской премии по физике — Жорес Алфёров. В 1952 году вступил в КПСС. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.

В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году Тучкевич стал действительным членом АН СССР. В 1967 — 1986 годах был директором ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР.

Был одним из академиков АН СССР, подписавших в 1973 году письмо учёных в газету "Правда" с осуждением "поведения академика А. Д. Сахарова". В письме Сахаров обвинялся в том, что он "выступил с рядом заявлений, порочащих государственный строй, внешнюю и внутреннюю политику Советского Союза", а его правозащитную деятельность академики оценивали как "порочащую честь и достоинство советского учёного" [1][2].

Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьём, используемых в производстве чёрных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в ЛПИ имени М. И. Калинина кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.

С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научные труды Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в ФТИ были разработаны первые в СССР германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности. Создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработал, в сотрудничестве с И. В. Греховым и другими коллегами, ряд новых силовых полупроводниковых приборов. Автор более 150 научных публикаций и 18 авторских изобретений.

Неоднократно избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970—1976 годы), членом Ленинградского горкома КПСС (1968—1970 и 1976—1980 годы).

Жил в городе Санкт-Петербурге. Умер 24 июля 1997 года.

Адреса в Ленинграде

Память

  • На здании Физико-технического института (Политехническая улица 26) в 2003 году была установлена мемориальная доска (художник Э. Х. Насибулин) с текстом: «В этом здании с 1936 по 1997 год работал выдающийся советский учёный Владимир Максимович Тучкевич».

Награды и почётные звания

Труды

Некоторые работы, среди них и совместные:[3]

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

  • Смелов В. А. Политехники: Герои Сов. Союза, Герои Соц. Труда. — ЛПИ, 1989
  • Владимир Максимович Тучкевич. (К 70-летию со дня рождения) // «Успехи физических наук», 1975, т. 115, в. 1.

Ссылки

Шаблон:Start box Шаблон:Succession box Шаблон:End box Шаблон:ВС

Партнерские ресурсы
Криптовалюты
Магазины
Хостинг
Разное

  1. ↑ Материалы о Сахарове Шаблон:Wayback из «Хроники текущих событий» № 30, 31.12.1973.
  2. ↑ Письмо членов Академии наук СССР Шаблон:Wayback // «Правда», 29.08.1973.
  3. ↑ В. М. Тучкевич Шаблон:Wayback в журнале «Успехи физических наук»
Источник — http://wikihandbk.com/ruwiki/index.php?title=Русская_Википедия:Тучкевич,_Владимир_Максимович&oldid=10964794