Русская Википедия:Фудзи Масуока
Шаблон:Учёный Шаблон:Нихонго-но-намаэ — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. В настоящее время — технический директор основанной им фирмы Unisantis Electronics[1]. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти (1980-е годы)[2]. Кроме того, в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (Шаблон:Нп3)[3].
Биография
В 1966 году Масуока окончил университет Тохоку в Сендае, Япония. В 1971 году там же получил докторскую степень[4] и поступил на работу в Toshiba. Там им юыл разработан МОП-транзистор, легший в основу микросхем со стиранием памяти (стирание происходит путем засвечивания ультрафиолетом) — предшественников EEPROM (электрически стираемого перепрограммируемого ПЗУ) и флеш-памяти[5][6]. В 1976 году Масуока разработал DRAM — динамическую память с произвольным доступом (DRAM) с двойной структурой поликристаллического кремния. В 1977 году он перешел в бизнес-подразделение Toshiba Semiconductor, где разработал мегабайтный DRAM[5].
Масуоку больше всего волновала идея энергонезависимой памяти, то есть памяти, которая бы сохраняла данные даже при отключении питания. Стирание данных тогдашней EEPROM занимало очень много времени. Он разработал технологию «плавающего затвора», позволяющую делать этогораздо быстрее. Совместный патент был подан в 1980 году вместе с Хисакадзу Иидзукой[7][5]. Его коллега Сёдзи Ариидзуми предложил слово «флеш» («вспышка»), потому что процесс напоминал ему вспышку фотоаппарата[8]. Результаты были опубликованы в 1984 году и легли в основу для технологии флэш-памяти уже гораздо большей емкости (изначальный вариант был 8192 байта).[9][10]
В 1984 году Масуока и его коллеги представили изобретение флеш-памяти NOR[11]. В 1987 году на Международной конференции по электронным устройствам института инженеров электротехники и электроники (IEEE), состоявшейся в Сан-Франциско они сделали доклад о разработке флеш-памяти NAND.[12] Toshiba выпустила на рынок флэш-память NAND в 1987 году.[13][14]. Однако, миллиарды долларов на продажах соответствующих технологий были заработаны компанией Intel[15] и пресс-служба Toshiba сообщила Forbes, что именно Intel изобрела флэш-память[15]. Что касается, Масуоки,- он получил премию в несколько сотен долларов за изобретение от Toshiba, а позже была сделана попытка понизить его в должности[15].
В 1988 году исследовательская группа Toshiba под руководством Масуока продемонстрировала первый МОП-транзистор с универсальным затвором (GAA) (Шаблон:Нп3)[3]
В 1994 году Масуока стал профессоом университета Тохоку[15]
В 2004 году Масуока, стремясь развить изобретение 1988 года, стал главным техническим директором образованной им компании Unisantis Electronics.[1][4]
В 2006 Масуока урегулировал судебный процесс с Toshiba на 87 миллионов йен (около 758 000 долларов США).[16]
У Масуока в общей сложности 270 уже зарегистрированных патентов и 71 — в процессе рассмотрения[5].
Награды и премии
- Премия Морриса Либманна — 1997[17]
- Японская почетная медаль — 2007
- Шаблон:Нп3 — 2013
- Орден Священного сокровища (золотая и серебряные звезды) — 2016
- Премия Хонда — 2018
Библиография
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs.» Electron Devices Meeting, 1988. IEDM’88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
- A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. «A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs.» Electron Devices Meeting, 1989. IEDM’89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI’s.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573—578.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . «Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579—583.
- F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. «A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT’s) for ultra high density DRAM’s.» IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960—971.
Примечания
- ↑ 1,0 1,1 Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ 3,0 3,1 Шаблон:Cite journal
- ↑ 4,0 4,1 Шаблон:Cite web
- ↑ 5,0 5,1 5,2 5,3 Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite journal
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite book
- ↑ Шаблон:Cite journal
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite conference
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite web
- ↑ 15,0 15,1 15,2 15,3 Шаблон:Cite web
- ↑ Шаблон:Cite news
- ↑ Шаблон:Cite web
