Русская Википедия:Химическое осаждение из газовой фазы

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Файл:PICT0111.JPG
Плазма ускоряет рост углеродных нанотрубок в лабораторной установке PECVD (Plasma Enhanced CVD).

Хими́ческое осажде́ние из га́зовой фа́зы (ХОГФ) (химическое парофазное осаждение, Шаблон:Lang-en) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая во взаимные реакции и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки слой необходимого вещества. Побочно часто образуется также газообразные продукты реакции, выносимые из камеры осаждения потоком газа-носителя.

С помощью CVD-процесса производят материалы различных структур: монокристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные. Примеры материалов: кремний, углеродное волокно, углеродное нановолокно, углеродные нанотрубки, графен, SiO2, вольфрам, карбид кремния, нитрид кремния, нитрид титана, различные диэлектрики, а также синтетические алмазы.

Виды CVD

Файл:ThermalCVD-en.svg
Схема термического химического осаждения из газовой фазы в камере с горячими стенками
Файл:PlasmaCVD-ru.svg
Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы

Различные виды CVD широко используются и часто упоминаются в литературеШаблон:Какой. Процессы различаются по видам химических реакций и по условиям протекания процесса.

Классификация по давлению

  • CVD при атмосферном давлении (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс проходит при атмосферном давлении.
  • CVD при пониженном давлении (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс при давлении ниже атмосферного. Пониженное давление снижает вероятность нежелательных побочных реакций в газовой фазе и ведёт к более равномерному осаждению плёнки на подложку. Большинство современных CVD-установок — либо LPCVD, либо UHVCVD.
  • Вакуумный CVD (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс проходит при очень низком давлении, обычно ниже 10−6 Па (~10−8 мм рт. ст.).

Классификация по физическим характеристикам пара

  • CVD с участием аэрозоля (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс в котором прекурсоры транспортируются к подложке в виде аэрозоля, который может создаваться различными способами, например, ультразвуком.
  • CVD с прямой инжекцией жидкости (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс, при котором исходное вещество подаётся в жидкой фазе (в чистом виде либо растворённым в растворителе). Жидкость впрыскивается в камеру через инжектор (часто используются автомобильные инжекторы). Эта технология позволяет достигать высокой скорости формирования плёнки.

Плазменные методы

Шаблон:Main

  • Усиленный плазмой CVD (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс, который использует плазму для разложения исходных веществ, активации поверхности подложки и ионного травления. За счёт более высокой эффективной температуры поверхности подложки, данный метод применим при более низких температурах и позволяет получать покрытия, равновесные условия синтеза которых недостижимы иными методами из-за недопустимости перегрева подложек или иных причин. В частности, этим методом успешно получают алмазные плёнки и даже относительно толстые изделия, такие как окна для оптических систем[1].
  • CVD активированный СВЧ плазмой (Шаблон:Lang-en).
  • Усиленный непрямой плазмой CVD (Шаблон:Lang-en) — в отличие от PECVD, в плазме газового разряда происходит только разложение исходных веществ, в то время как сама подложка не подвергается её действию. Это позволяет исключить радиационные повреждения подложки и снизить тепловое воздействие на неё. Такой режим обеспечивается за счёт пространственного разделения областей разложения и осаждения и может дополняться различными методами локализации плазмы (например, при помощи магнитного поля или повышения давления газа).

Иные методы

  • Атомно-слоевое осаждение (Шаблон:Lang-en) — формирует последовательные слои различных материалов для создания многоуровневой кристаллической плёнки.
  • Пламенное разложение (Шаблон:Lang-en) — процесс сгорания в открытой атмосфере.
  • CVD с горячей нитью (Шаблон:Lang-en) — также известен как каталитический CVD (Шаблон:Lang-en). Использует горячий носитель для ускорения реакции газов.
  • Металлорганический CVD (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс, использующий металлоорганические исходные вещества.
  • Гибридное физико-химическое парофазное осаждение (Шаблон:Lang-en) — процесс, использующий и химическую декомпозицию прекурсора, и испарение твёрдого материала.
  • Быстродействующее термическое химическое парофазное осаждение (Шаблон:Lang-en) — CVD-процесс, использующий лампы накаливания или другие методы быстрого нагрева подложки. Нагрев подложки без разогрева газа позволяет сократить нежелательные реакции в газовой фазе.
  • Парофазная эпитаксия (Шаблон:Lang-en).

Материалы для микроэлектроники

Метод химического осаждения из газовой фазы позволяет получать конформные покрытия высокой сплошности, и поэтому широко используется в микроэлектронном производстве для получения диэлектрических и проводящих слоёв.

Поликристаллический кремний

Поликристаллический кремний получают из силанов реакцией разложения:

<chem>SiH4 -> Si + 2 H2</chem>.

Реакция обычно проводится в LPCVD системах, либо с подачей чистого силана, или смеси силана и 70—80 % азота. При температуре от 600 °С и 650 °С и при давление от 25 до 150 Па скорость осаждения от 10 до 20 нм в минуту. Альтернатива — использование смеси силана с водородом, что снижает скорость роста даже при повышении температуры до 850 °С или 1050 °С.

Диоксид кремния

Диоксид кремния (часто называемый просто «оксидом» в индустрии полупроводников) может наноситься несколькими различными процессами. Используются реакции окисления силана кислородом:

<chem>SiH4 + O2 -> SiO2 + 2 H2,</chem>

взаимодействием дихлорсилана с закисью азота:

<chem>SiCl2H2 + 2 N2O -> SiO2 + 2 N2 + 2 HCl,</chem>

разложением тетраэтоксисилана:

<chem>Si(OC2H5)4 -> SiO2</chem> + побочные продукты.

Нитрид кремния

Нитрид кремния часто используют как изолятор и диффузионный барьер при производстве интегральных микросхем. Используют реакцию взаимодействия силана с аммиаком:

<chem>3 SiH4 + 4 NH3 -> Si3N4 + 12 H2,</chem>
<chem>3 SiCl2H2 + 4 NH3 -> Si3N4 + 6 HCl + 6 H2</chem>.

Следующие две реакции используют в плазменных процессах для отложения <chem>SiNH:</chem>

<chem>2 SiH4 + N2 -> 2 SiNH + 3 H2,</chem>
<chem>SiH4 + NH3 -> SiNH + 3 H2</chem>.

Металлы

Шаблон:Main ХОГФ широко используют для нанесения молибдена, тантала, титана, никеля и вольфрама. При осаждении на кремний эти металлы могут формировать силициды с полезными свойствами. Mo, Ta и Ti осаждают в процессе LPCVD из их пентахлоридов. Ni, Mo, W могут при низких температурах осаждаться из карбонилов. Для пятивалентного металла M реакция восстановления из пентахлорида:

<chem>2 MCl5 + 5 H2 -> 2 M + 10 HCl</chem>.

Обычно используемое соединение вольфрама — гексафторид вольфрама, который осаждают двумя способами:

<chem>WF6 -> W + 3 F2,</chem>
<chem>WF6 + 3 H2 -> W + 6 HF</chem>.

См. также

Примечания

Шаблон:Примечания

Литература

Ссылки

Шаблон:Rq