Русская Википедия:Эберс, Джуэл Джеймс

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:Однофамильцы Шаблон:Учёный

Джу́эл Джеймс Э́берс (Шаблон:Lang-en, родился в 1921 году, умер в марте 1959 года) — американский физик, соавтор простейшей математической модели биполярного транзистора — модели Эберса — Молла.

Биография

Джуэл Джеймс Эберс родился и вырос в городе Гранд-Рапидс, штат Мичиган. Обучение в Шаблон:Нп5 было прервано Второй мировой войной[1]. Отслужив три года в армии США, Эберс в 1946 году окончил курс в колледже, а затем продолжил обучение на электротехническом факультете Университета Огайо[1]. В 1947 году Эберс получил диплом магистра, в 1950 году — звание доктора философии. В 1951 году, после непродолжительной преподавательской работы, перешёл на работу в Bell Labs — один из двух крупнейших частных научно-исследовательских институтов США[2]. Эберс показал себя способным администратором и быстро продвинулся по службе, достигнув к 1959 году поста директора филиала Bell Labs в Аллентауне[1].

Важнейшим вкладом Эберса в электронику стало создание в 1954 году[3], совместно с Джоном Моллом, первой практической и удобной для расчётов математической модели биполярного транзистора.

Модель Эберса — Молла, включает в себя идеальные диоды, идеальные управляемые источники тока и паразитных емкостей, удачно подошла под требования и вычислительные ограничения ранних программ машинного моделирования электронных цепей и стала составной частью многих программ моделирования электронных цепей, например, SPICE, Microcap и других средств САПР. Модель Эберса — Молла в которой два диода и два источника тока — основная (простейшая) модель биполярного транзистора.

Последовательное усложнение модели Эберса — Молла с целью уточнения её «в конце концов приводит» к совершенной (и требующей для описания не менее 25 параметров) модели Гуммеля — Пуна[4]. Вторым по значимости вкладом Эберса в электронику стала разработка им в 1952 году первого четырёхслойного полупроводникового pnpn-прибора, впоследствии названного тиристором[5].

В 1971 году секция электронных приборов IEEE учредила ежегодную премию Эберса, присуждаемую «за выдающийся инженерный вклад в области электронных приборов»[1].

Примечания

Шаблон:Примечания

  1. 1,0 1,1 1,2 1,3 Шаблон:Статья: «For an outstanding technical contribution to electron devices»
  2. Вторым был комплекс лабораторий General Electric в Скенектади
  3. Шаблон:Статья
  4. Шаблон:Книга
  5. Шаблон:Книга