Русская Википедия:Электронно-дырочные лужи в графене

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Шаблон:Графен Электронно-дырочные лужи (Шаблон:Lang-en) в графене формируется вблизи точки электронейтральности. Они представляют собой локальное изменение концентрации отрицательно заряженных носителей (электронов) и положительно заряженных (дырок) квазичастиц и возникают из-за неоднородного распределения заряженных примесей в подложке, а также локального изменения плотности состояний, например, из-за дефектов или деформации решётки и др. причин. В целом заряд графена в точке электронейтральности равен нулю, то есть количество электронов и дырок совпадает, однако их концентрации зависят от координат. На границе между электронными и дырочными областями формируются p-n переходы. Так как запрещённая зона графена равна нулю, ток через такой переход не равен нулю, и материал остаётся проводящим при любой температуреШаблон:Sfn.

Влияние подложки

Качество подложки и количество примесей в ней сильно влияют на уровень беспорядка в графене: на концентрацию носителей в электронно-дырочных лужах и их размеры. Первые образцы графена были сделаны на подложке окисленного кремния, не отличающегося чистотой, благодаря чему флуктуации концентрации достигали 1012 см-2. Размеры луж, локальное положение дираковской точки были измерены с помощью одноэлектронного транзистора чувствительного к локальному заряду[1].

В более поздних реализациях графеновые образцы переносились на чистые гладкие подложки из гексагонального нитрида бора, что позволило частично избежать флуктуирующего потенциала и глубина луж существенно уменьшилась. Это привело к получению существенно более высоких подвижностей носителей.

Примечания

Шаблон:Reflist

Литература