Русская Википедия:Эффект Кирка

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Эффект Кирка — явление увеличения толщины базы биполярного транзистора, вызываемое ростом тока коллектора выше некоторой величины <math>I_{CK}</math> при прочих неизменных условиях.

Объясняется повышением концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора, которая вызывает уменьшение толщины области пространственного заряда коллекторного перехода, и, таким образом увеличение толщины базы. Пороговая величина тока коллектора <math>I_{CK}</math>, начиная с которой возникает эффект Кирка, определяется из условия превышения концентрации электронов, вызванной протеканием тока <math>I_{CK}</math> над концентрацией примеси <math>N_{B}</math> на границе базы со стороны коллектора, то есть из условия <math>\frac{I_{CK}}{S e v_{s}} > N_{B}</math>. Отсюда следует: <math>I_{CK} > S e v_{s} N_{B}</math> Эффект Кирка уменьшает коэффициент усиления по току <math>\beta_{F} = \frac{|I_{C}|}{|I_{B}|}</math> и увеличивает время пролета неосновных носителей через базу.

См. также

Литература

  • Сугано, Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. — М. : Мир, 1988. — С. 102. — ISBN 5-03-001109-9.