Русская Википедия:Мю (электроника)
Шаблон:Значения <math>\mu</math> (мю) в электронике — предельно возможный коэффициент усиления напряжения активного электронного прибора — транзистора, электронной лампы или более сложного схемотехнического узла. <math>\mu</math> определяется как отношение (а) приращения напряжения на выходных электродах (коллектор-эмиттер, сток-исток, анод-катод) и (б) приращения управляющего напряжения (база-эмиттер, затвор-исток, сетка-катод), вызывающих одинаковое изменение выходного тока (тока коллектора, тока стока, тока анода)Шаблон:Sfn. Усиление напряжения в <math>\mu</math> раз теоретически возможно лишь при бесконечно большом сопротивлении нагрузки; в реальных каскадах с конечным сопротивлением нагрузки коэффициент усиления всегда меньше <math>\mu</math>. Крутизна передаточной характеристики <math>S</math>, внутреннее сопротивление между выходными электродами <math>R_i</math> и коэффициент усиления <math>\mu</math> связаны между собой уравнением параметров триода (в иностранных источниках «формула ван дер Бейла»)
- <math>\mu = S R_{i}</math>Шаблон:Sfn.
Биполярные транзисторы
- <math>\mu = S r_{ce} = \left( \frac {I_c} { \phi_t } \right) \left( \frac {U_a} { I_c } \right) = \frac {U_a} { \phi_t} </math>Шаблон:SfnШаблон:Sfn,
где <math>I_c</math> — ток коллектора, <math>U_a</math> — напряжение Эрли, <math>\phi_t</math> — температурный коэффициент, составляющий для кремния примерно 26 мВ при температуре +25°СШаблон:Sfn. При типичных напряжениях Эрли кремниевых транзисторов и нормальной температуре <math>\mu_{npn} \approx 1000...6000</math>, и <math>\mu_{pnp} \approx 1000...3000</math>Шаблон:Sfn. Для транзисторов (в отличие от ламп) величина <math>\mu</math> не входит в число основных параметровШаблон:Sfn и практически никогда не указывается в явном виде, так как является эквивалентом напряжения ЭрлиШаблон:Sfn. В практических расчётах <math>\mu</math> применяется редко (эффектом Эрли обычно можно пренебречь) — это теоретический предел для однотранзисторного каскада с общим эмиттером или общей базойШаблон:Sfn, реализуемый только на холостом ходу без отбора мощности нагрузкойШаблон:Sfn. Приблизиться к расчётному <math>\mu</math> в реальном усилителе можно, лишь используя активную коллекторную нагрузку на транзисторном источнике тока (резистивная нагрузка потребовала бы запредельно высокого напряжения питания)Шаблон:Sfn.
Триоды
Для вакуумного триода
- <math>\mu=1/D=C_{ck} / C_{ak} </math>Шаблон:Sfn,
где <math>D</math> — электростатическая проницаемость управляющей сетки, <math>C_{ck}, C_{ak}</math> — ёмкости сетка-катод и анод-катод. Величина <math>\mu</math>, обратная проницаемости, служит мерой эффективности экранирующего действия сетки: чем гуще навита сетка, что соответствует бо́льшим значениям <math>\mu</math>, тем слабее влияние анода на протекающий токШаблон:SfnШаблон:Sfn. <math>\mu</math> практически не изменяется по мере старения лампы, практически не зависит от тока накала или температуры катода, и слабо зависит от выбора рабочей точки. При нормальных отрицательных смещениях на сетке <math>\mu</math> практически неизмененШаблон:Sfn. При положительных напряжениях на сетке <math>\mu</math> спадает из-за ответвления части катодного тока в цепь сетки, а при отрицательных напряжениях, близких к запирающему — из-за островкового эффектаШаблон:Sfn. Наименьшие значение <math>\mu</math>, примерно 2..3, свойственны специализированным мощным триодам для стабилизаторов напряжения, имеющим минимально возможное выходное сопротивление. В лампах для усиления напряжения и мощности диапазон <math>\mu</math> простирается от примерно 4 (мощные выходные триоды прямого накала) до 120 (лампы с высоким <math>\mu</math> для усиления напряжения)[1].
Примечания
Литература
