Электроника:Полупроводники/Полевые транзисторы с изолированным затвором/Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение: различия между версиями
Valemak (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Полевые транзисторы...») |
Нет описания правки |
||
| (не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
| Строка 5: | Строка 5: | ||
=Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-6/insulated-gate-field-effect-transistors-igfet/ www.allaboutcircuits.com - Introduction to Insulated-gate Field-effect Transistors]</ref>= | =Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-6/insulated-gate-field-effect-transistors-igfet/ www.allaboutcircuits.com - Introduction to Insulated-gate Field-effect Transistors]</ref>= | ||
Как мы уже знаем из предыдущей главы, полевые транзисторы бывают разных типов. ''Переходной полевой транзистор'' или просто ''JFET'' (от англ. '''''j'''unction '''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor'', что дословно буквально переводится как ''переходной транзистор с полевым эффектом''), использует напряжение, приложенное к обратно смещению P-N – переходу, регулируя которое можно изменять ширину обеднённой области этого перехода, которая в свою очередь контролирует проводимость полупроводникового канала, по которому движется управляемый ток. Есть ещё один тип полевого устройства – ''полевой транзистор с изолированным затвором'' или ''IGFET'' (от англ. '''''i'''nsulated '''g'''ate '''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor'', буквальный перевод ''транзистор с полевым эффектом с изолированным затвором'') – в нём используется аналогичный принцип по регулировке ширины обеднённой области, чтобы контролировать проводимость через полупроводниковый канал. Тут отличие от JFET в первую очередь заключается в том, что нет прямого соединения между выводом | Как мы уже знаем из предыдущей главы, [[полевые транзисторы]] бывают разных типов. ''[[Переходной полевой транзистор]]'' или просто ''[[JFET]]'' (от англ. '''''j'''unction '''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor'', что дословно буквально переводится как ''[[переходной транзистор с полевым эффектом]]''), использует напряжение, приложенное к обратно смещению P-N – переходу, регулируя которое можно изменять ширину обеднённой области этого перехода, которая в свою очередь контролирует проводимость полупроводникового канала, по которому движется управляемый ток. Есть ещё один тип полевого устройства – ''[[полевой транзистор с изолированным затвором]]'' или ''[[IGFET]]'' (от англ. '''''i'''nsulated '''g'''ate '''f'''ield-'''e'''ffect '''t'''ransistor'', буквальный перевод ''[[транзистор с полевым эффектом с изолированным затвором]]'') – в нём используется аналогичный принцип по регулировке ширины обеднённой области, чтобы контролировать проводимость через полупроводниковый канал. Тут отличие от [[JFET]] в первую очередь заключается в том, что нет прямого соединения между выводом [[затвор]]а и самим полупроводниковым материалом. Напротив, вывод [[затвор]]а изолирован от корпуса [[транзистор]]а тонкой перегородкой (собственно, отсюда и термин «[[изолированный затвор]]»). Этот изолирующий барьер действует как диэлектрический слой [[конденсатор]]а и позволяет напряжению [[затвор]]/[[исток]] влиять на область обеднения электростатически, а не путём прямого подключения. | ||
В дополнение к тому, что есть конструктивный выбор между N- | В дополнение к тому, что есть конструктивный выбор между [[N-канал]]ом и [[P-канал]]ом, [[IGFET]]-[[транзистор]]ы бывают двух основных типов: насыщающие (с индуцированным каналом) и обедняющие (со встроенным каналом). Обедняющая версия более тесно связана с [[JFET]], поэтому с неё и начнём изучение [[IGFET]]. | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
| Строка 17: | Строка 17: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:44, 22 мая 2023
Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение[1]
Как мы уже знаем из предыдущей главы, полевые транзисторы бывают разных типов. Переходной полевой транзистор или просто JFET (от англ. junction field-effect transistor, что дословно буквально переводится как переходной транзистор с полевым эффектом), использует напряжение, приложенное к обратно смещению P-N – переходу, регулируя которое можно изменять ширину обеднённой области этого перехода, которая в свою очередь контролирует проводимость полупроводникового канала, по которому движется управляемый ток. Есть ещё один тип полевого устройства – полевой транзистор с изолированным затвором или IGFET (от англ. insulated gate field-effect transistor, буквальный перевод транзистор с полевым эффектом с изолированным затвором) – в нём используется аналогичный принцип по регулировке ширины обеднённой области, чтобы контролировать проводимость через полупроводниковый канал. Тут отличие от JFET в первую очередь заключается в том, что нет прямого соединения между выводом затвора и самим полупроводниковым материалом. Напротив, вывод затвора изолирован от корпуса транзистора тонкой перегородкой (собственно, отсюда и термин «изолированный затвор»). Этот изолирующий барьер действует как диэлектрический слой конденсатора и позволяет напряжению затвор/исток влиять на область обеднения электростатически, а не путём прямого подключения.
В дополнение к тому, что есть конструктивный выбор между N-каналом и P-каналом, IGFET-транзисторы бывают двух основных типов: насыщающие (с индуцированным каналом) и обедняющие (со встроенным каналом). Обедняющая версия более тесно связана с JFET, поэтому с неё и начнём изучение IGFET.
См.также
Внешние ссылки
