Электроника:Полупроводники/Полевые транзисторы с изолированным затвором/Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Полевые транзисторы с изолированным затвором – Введение[1]

Как мы уже знаем из предыдущей главы, полевые транзисторы бывают разных типов. Переходной полевой транзистор или просто JFET (от англ. junction field-effect transistor, что дословно буквально переводится как переходной транзистор с полевым эффектом), использует напряжение, приложенное к обратно смещению P-N – переходу, регулируя которое можно изменять ширину обеднённой области этого перехода, которая в свою очередь контролирует проводимость полупроводникового канала, по которому движется управляемый ток. Есть ещё один тип полевого устройства – полевой транзистор с изолированным затвором или IGFET (от англ. insulated gate field-effect transistor, буквальный перевод транзистор с полевым эффектом с изолированным затвором) – в нём используется аналогичный принцип по регулировке ширины обеднённой области, чтобы контролировать проводимость через полупроводниковый канал. Тут отличие от JFET в первую очередь заключается в том, что нет прямого соединения между выводом затвора и самим полупроводниковым материалом. Напротив, вывод затвора изолирован от корпуса транзистора тонкой перегородкой (собственно, отсюда и термин «изолированный затвор»). Этот изолирующий барьер действует как диэлектрический слой конденсатора и позволяет напряжению затвор/исток влиять на область обеднения электростатически, а не путём прямого подключения.

В дополнение к тому, что есть конструктивный выбор между N-каналом и P-каналом, IGFET-транзисторы бывают двух основных типов: насыщающие (с индуцированным каналом) и обедняющие (со встроенным каналом). Обедняющая версия более тесно связана с JFET, поэтому с неё и начнём изучение IGFET.

См.также

Внешние ссылки