Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Гибридные транзисторы: различия между версиями
Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Valemak (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Гибридные транзисторы<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-hybrid/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Hybrid]</ref>= File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разнов...») |
Нет описания правки |
||
(не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
Строка 7: | Строка 7: | ||
[[File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).]] | [[File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).]] | ||
По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между | По сути, [[IGFET]] управляет базовым током [[биполярного транзистора]], который управляет током основной нагрузки между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку [[изолированный затвор IGFET]] практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом при полной проводимости такое же низкое, как у обычного [[биполярного транзистора]]. | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
Строка 17: | Строка 17: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023
Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.
Гибридные транзисторы[1]
По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.
См.также
Внешние ссылки