Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Гибридные транзисторы

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Перевод: Макаров В. (valemak) Контакты:</br>* Habr: @vakemak</br>* Сайт: www.valemak.com</br>Перевёл статей: 656.
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Гибридные транзисторы[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).

По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.

См.также

Внешние ссылки