Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Гибридные транзисторы: различия между версиями
Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Myagkij (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Нет описания правки |
||
Строка 11: | Строка 11: | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
Строка 17: | Строка 17: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023
Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.
Гибридные транзисторы[1]
По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.
См.также
Внешние ссылки