Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Гибридные транзисторы: различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
Строка 11: Строка 11:
=См.также=
=См.также=


{{ads}}
 


=Внешние ссылки=
=Внешние ссылки=
Строка 17: Строка 17:
<references />
<references />


{{Навигационная таблица/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Портал/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Телепорт}}

Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Гибридные транзисторы[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).

По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.

См.также

Внешние ссылки