Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Гибридные транзисторы: различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
(Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Гибридные транзисторы<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-hybrid/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Hybrid]</ref>= File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разнов...»)
 
Нет описания правки
Строка 7: Строка 7:
[[File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).]]
[[File:V-9_15_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).]]


По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.
По сути, [[IGFET]] управляет базовым током [[биполярного транзистора]], который управляет током основной нагрузки между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку [[изолированный затвор IGFET]] практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между [[коллектор]]ом и [[эмиттер]]ом при полной проводимости такое же низкое, как у обычного [[биполярного транзистора]].


=См.также=
=См.также=

Версия от 11:58, 9 мая 2022

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Гибридные транзисторы[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).

По сути, IGFET управляет базовым током биполярного транзистора, который управляет током основной нагрузки между коллектором и эмиттером. Таким образом, достигается чрезвычайно высокий коэффициент усиления по току (поскольку изолированный затвор IGFET практически не потребляет ток от схемы управления), но падение напряжения между коллектором и эмиттером при полной проводимости такое же низкое, как у обычного биполярного транзистора.

См.также

Внешние ссылки