Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET): различия между версиями
Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Valemak (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-insulated-gate-field-effect-igfet-or-mosfet/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Insulated-gate Field-effect (IGFET or MOSFET)]</re...») |
Нет описания правки |
||
(не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
Строка 7: | Строка 7: | ||
[[File:V-9_14_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.]] | [[File:V-9_14_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.]] | ||
У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии. | У нас есть разные символы для [[полевых МОП-транзисторов]] с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии. | ||
В ''режиме обеднения'' напряжение | В ''режиме обеднения'' напряжение [[затвор]]а [[MOSFET]] ([[МОП]]) закрывает проводящий канал от истока к стоку. | ||
В ''насыщаемом режиме'' напряжение | В ''насыщаемом режиме'' напряжение [[затвор]]а [[МОП-транзистор]]а открывает проводящий канал от истока к стоку. | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
Строка 21: | Строка 21: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023
Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.
Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]
У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.
В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.
В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.
См.также
Внешние ссылки