Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Перевод: Макаров В. (valemak) Контакты:</br>* Habr: @vakemak</br>* Сайт: www.valemak.com</br>Перевёл статей: 656.
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.

У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.

В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.

В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.

См.также

Внешние ссылки