Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET): различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
(Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-insulated-gate-field-effect-igfet-or-mosfet/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Insulated-gate Field-effect (IGFET or MOSFET)]</re...»)
 
Нет описания правки
Строка 7: Строка 7:
[[File:V-9_14_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.]]
[[File:V-9_14_1.png|550px|center|thumb|'''Рис. 1.''' Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.|alt=Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.]]


У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.
У нас есть разные символы для [[полевых МОП-транзисторов]] с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.


В ''режиме обеднения'' напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.
В ''режиме обеднения'' напряжение [[затвор]]а [[MOSFET]] ([[МОП]]) закрывает проводящий канал от истока к стоку.


В ''насыщаемом режиме'' напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.
В ''насыщаемом режиме'' напряжение [[затвор]]а [[МОП-транзистор]]а открывает проводящий канал от истока к стоку.


=См.также=
=См.также=

Версия от 11:57, 9 мая 2022

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.

У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.

В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.

В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.

См.также

Внешние ссылки