Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET): различия между версиями
Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Myagkij (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Нет описания правки |
||
Строка 15: | Строка 15: | ||
=См.также= | =См.также= | ||
=Внешние ссылки= | =Внешние ссылки= | ||
Строка 21: | Строка 21: | ||
<references /> | <references /> | ||
{{Навигационная таблица/Электроника | {{Навигационная таблица/Портал/Электроника}} | ||
Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023
Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.
Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]
У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.
В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.
В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.
См.также
Внешние ссылки