Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET): различия между версиями

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
Строка 15: Строка 15:
=См.также=
=См.также=


{{ads}}
 


=Внешние ссылки=
=Внешние ссылки=
Строка 21: Строка 21:
<references />
<references />


{{Навигационная таблица/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Портал/Электроника}}
{{Навигационная таблица/Телепорт}}

Текущая версия от 21:50, 22 мая 2023

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.

У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.

В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.

В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.

См.также

Внешние ссылки