Электроника:Справочные материалы/Схематические обозначения элементов цепи/Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)

Материал из Онлайн справочника
Версия от 04:06, 9 мая 2022; Valemak (обсуждение | вклад) (Новая страница: «{{Панель управления/Электроника}} {{Перевод от valemak}} {{Myagkij-редактор}} =Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)<ref>[https://www.allaboutcircuits.com/textbook/reference/chpt-9/transistors-insulated-gate-field-effect-igfet-or-mosfet/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Insulated-gate Field-effect (IGFET or MOSFET)]</re...»)
(разн.) ← Предыдущая версия | Текущая версия (разн.) | Следующая версия → (разн.)
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)[1]

Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.
Рис. 1. Обозначение на электрических схемах различных разновидностей транзисторов с полевым эффектом с изолированным затвором.

У нас есть разные символы для полевых МОП-транзисторов с режимом обеднения и режимом насыщения – обратите внимание на пунктирные и сплошные линии.

В режиме обеднения напряжение затвора MOSFET (МОП) закрывает проводящий канал от истока к стоку.

В насыщаемом режиме напряжение затвора МОП-транзистора открывает проводящий канал от истока к стоку.

См.также

Внешние ссылки