Электроника:Эксперименты/Дискретные полупроводниковые схемы/Дискретные полупроводниковые схемы – Введение

Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску

Перевод: Макаров В. (valemak)
Проверка/Оформление/Редактирование: Мякишев Е.А.


Дискретные полупроводниковые схемы – Введение[1]

Полупроводниковое устройство изготавливается из кремния или иного специально подготовленного материала, предназначенного для использования уникальных свойств электронов в кристаллической решётке, когда электроны не настолько свободны в своём движении, как в проводнике, но гораздо более подвижны, чем в диэлектрике.

Дискретное устройство – это устройство, содержащееся в собственном корпусе, а не построенное на общей полупроводниковой подложке с другими компонентами, как в случае ИС (интегральных схем). Таким образом, «дискретные полупроводниковые схемы» – это схемы, собранные из отдельных полупроводниковых компонентов, соединённых вместе на какой-либо печатной плате или клеммной колодке.

В этих схемах используются все компоненты и концепции, рассмотренные в предыдущих главах, поэтому перед тем, как приступать к этим экспериментам, необходимо иметь чёткое представление об электричестве постоянного и переменного тока. Ради интереса в этот раздел включена одна схема, использующая в качестве усилителя вакуумную лампу, а не полупроводниковый транзистор.

До появления транзисторов «вакуумные лампы» были рабочими лошадками электронной промышленности: они использовались для изготовления выпрямителей, усилителей, генераторов и во многих других схемах. Хотя в настоящее время они считаются устаревшими для большинства целей, для электронных ламп всё ещё остаётся своя узкая ниша применения, так что создание и эксплуатация схем с использованием этих устройств не лишены определённого интереса.

См.также

Внешние ссылки