Результаты поиска
Материал из Онлайн справочника
Перейти к навигацииПерейти к поиску
- ...е на электрических схемах различных разновидностей гибридных транзисторов (IGFET).]] ...2 Кб (32 слова) - 21:50, 22 мая 2023
- ...sfet/ www.allaboutcircuits.com - Transistors, Insulated-gate Field-effect (IGFET or MOSFET)]</ref>= ...2 Кб (41 слово) - 21:50, 22 мая 2023
- ...com/textbook/semiconductors/chpt-6/insulated-gate-field-effect-transistors-igfet/ www.allaboutcircuits.com - Introduction to Insulated-gate Field-effect Tra ...о устройства – ''[[полевой транзистор с изолированным затвором]]'' или ''[[IGFET]]'' (от англ. '''''i'''nsulated '''g'''ate '''f'''ield-'''e'''ffect ' ...4 Кб (51 слово) - 21:44, 22 мая 2023
- ...IGFET или MOSFET)|Транзисторы с полевым эффектом с изолированным затвором (IGFET или MOSFET)]] ...5 Кб (25 слов) - 21:50, 22 мая 2023
- ...аким образом, единственный ток, который мы видим через вывод [[затвор]]а [[IGFET]] – это всегда переходный процесс (кратко ...9 Кб (106 слов) - 21:44, 22 мая 2023
- Вот схема N-канального [[IGFET]] «обедняющего» типа (т.н. ''D-тип'', то есть ' ...роенным» каналом) N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET D-типа). 4 вывода: затвор, исток, сток и подл ...22 Кб (407 слов) - 21:44, 22 мая 2023
- ...author2=Ko, Jeng |name-list-style=amp |title=BSIM: Berkeley Short-Channel IGFET Model for MOS Transistors |journal=IEEE Journal of Solid-State Circuits |vo ...4 Кб (532 слова) - 02:32, 5 февраля 2024
- ...ванная с тактовым сигналом, скорее всего, должна быть подключена к затвору IGFET, чтобы обеспечить полную разрядку конден ...14 Кб (62 слова) - 21:53, 22 мая 2023
- ...меру, такую схему инвертора, построенную с использованием P- и N-канальных IGFET: ...N-канальный).|alt=Рис. 1. Простейший инвертор, построенный с помощью двух IGFET (один P-, а второй N-канальный).]] ...38 Кб (510 слов) - 21:51, 22 мая 2023
- |symbol = [[File:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|80px]] ...6 Кб (845 слов) - 21:09, 25 декабря 2023
- ...]] device, and was among the creators of the [[BSIM|Berkeley Short‐Channel IGFET Model]] family of MOSFETs.<ref name=ieee/> Since the 1980s, Hu has written ...9 Кб (1164 слова) - 12:38, 17 февраля 2024
- ...which are three-terminal semiconductors, and insulated gate FET ([[MOSFET|IGFET]]), which are four-terminal semiconductors. ...11 Кб (1485 слов) - 19:58, 5 марта 2024
- ...ую электронную лампу, выполняющую во многом схожую функцию с [[N-канальным IGFET-транзистором D-типа]]), включаемая посредс ...21 Кб (86 слов) - 21:45, 22 мая 2023
- ...ерси).<!-- {{нет АИ 2|Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET.|28|09|2016}}--> В 1990-е годы было принято названи ...22 Кб (426 слов) - 02:37, 5 августа 2023
- ...24 Кб (198 слов) - 21:44, 22 мая 2023
- File:IGFET N-Ch Enh Labelled simplified.svg | [[Metal–oxide–semiconductor field-ef ...22 Кб (2786 слов) - 22:16, 2 марта 2024
- ...r of specialised applications. The insulated-gate field-effect transistor (IGFET) was theorized as a potential alternative to junction transistors, but rese ...in 1948 Bardeen patented the progenitor of MOSFET, an insulated-gate FET (IGFET) with an inversion layer. The inversion layer confines the flow of minority ...49 Кб (6956 слов) - 12:57, 7 марта 2024
- ...57 Кб (546 слов) - 21:44, 22 мая 2023